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本发明提供超表面单光子探测器及其制备方法，包括：衬底层和在衬底层上依次生长的外延结构、P电极和N电极；所述衬底层设置有超表面结构。通过在芯片的衬底结构上设置超表面结构，既保留原有单光子探测器芯片外延结构的高性能，也引入了超表面节后改善单光子...
该专利属于广东电网有限责任公司广州供电局所有，仅供学习研究参考，未经过广东电网有限责任公司广州供电局授权不得商用。

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