用于发光阵列的光收集结构制造技术

半导体LED包括p掺杂层、n掺杂层和有源层，并且具有阳极电接触部和阴极电接触部、位于LED的侧表面上的侧向介电层和位于侧向介电层上的导电接合层。该接合层电耦接至阳极电接触部并且通过侧向介电层与有源层和n掺杂层的侧表面电绝缘。LED具有随着从其阳极接触表面朝向其光出射表面的距离增加而单调增加的截面积。侧表面形状被布置成使得LED或侧向介电层内的内部反射将由有源层发射且在LED内在逃逸锥外传播的光的一部分重定向以朝向逃逸锥内的n掺杂层的光出射表面传播。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术总体上涉及发光二极管和磷光体转换的发光二极管。

技术介绍

1、半导体发光二极管和激光二极管(在此统称为“led”)是当前可用的最有效的光源之一。led的发射光谱通常在由装置的结构和构成其的半导体材料的组成所确定的波长处具有单个窄峰。通过适当选择装置结构和材料系统，led可以被设计成在紫外、可见光或红外波长处工作。

2、led可以与一种或多种波长转换材料(在此通常称为“磷光体”)组合，该波长转换材料吸收由led发射的光并且作为响应发射较长波长的光。对于这种磷光体转换的led(“pcled”)，由led发射的光中被磷光体吸收的份额取决于由led发射的光的光路中的磷光体材料的量，例如取决于设置在led上或led周围的磷光体层中的磷光体材料的浓度以及层的厚度。

3、磷光体转换的led可以被设计成使得由led发射的所有光被一种或多种磷光体吸收，在这种情况下，来自pcled的发射完全来自磷光体。在这种情况下，可以选择磷光体以例如发射led不能直接有效产生的窄光谱区的光。

4、或者，pcled可被设计成使得仅一部分led发射本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光元件，包括：

2.根据权利要求1所述的发光元件，所述LED具有下列之一：(i)圆形、椭圆形或卵形的横截面形状；或(ii)正方形、矩形或多边形的横截面形状。

3.根据权利要求1所述的发光元件，所述一个或多个LED侧表面具有纵截面形状，所述纵截面形状具有：(i)在所述阳极接触表面与所述光出射表面之间大致恒定的倾斜度；(ii)在所述阳极接触表面处的第一大致恒定的倾斜度以及在所述光出射表面处的比所述第一大致恒定的倾斜度大的第二大致恒定的倾斜度；或者(iii)从所述阳极接触表面到所述光出射表面单调增加的倾斜度。

4.根据权利要求1所述的发光元件，从所...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种发光元件，包括：

2.根据权利要求1所述的发光元件，所述led具有下列之一：(i)圆形、椭圆形或卵形的横截面形状；或(ii)正方形、矩形或多边形的横截面形状。

3.根据权利要求1所述的发光元件，所述一个或多个led侧表面具有纵截面形状，所述纵截面形状具有：(i)在所述阳极接触表面与所述光出射表面之间大致恒定的倾斜度；(ii)在所述阳极接触表面处的第一大致恒定的倾斜度以及在所述光出射表面处的比所述第一大致恒定的倾斜度大的第二大致恒定的倾斜度；或者(iii)从所述阳极接触表面到所述光出射表面单调增加的倾斜度。

4.根据权利要求1所述的发光元件，从所述有源层发射的光的角分布包括至少部分地在逃逸锥内的中心波瓣以及在所述逃逸锥外部的外围波瓣，所述一个或多个led侧表面被布置为使得在所述外围波瓣内传播的发射光在所述一个或多个led侧表面处被内部反射。

5.根据权利要求4所述的发光元件，所述一个或多个led侧表面具有纵截面形状，所述纵截面形状被布置成使得在所述纵截面形状的下述区域中，即在该区域中，在所述外围波瓣中传播的发射光入射到所述一个或多个侧表面上，该侧表面区域相对于该光出射表面的表面法线形成锐角θw，该锐角：(i)介于约(θpl-θc)/2与约(θpl+θc)/2之间，θpl是在该外围波瓣的最大值处的光传播相对于表面法线的锐角，θc是该逃逸锥的锥角；(ii)约等于θpl/2；或(iii)在35度和40度之间。

6.根据权利要求1所述的发光元件，所述侧向介电层(i)仅包括单个介电材料的单一层，或者(ii)包括在所述一个或多个led侧表面与所述接合层之间的反射涂层。

7.根据权利要求1所述的发光元件，还包括在所述n掺杂层的出射表面上的抗反射涂层，该抗反射涂层布置成减少了入射在该表面上的处于标称发射真空波长λ0处的发射光的反射，该减少是相对于缺少该抗反射涂层的类似表面处的反射而言的。

8.根据权利要求1所述的发光元件，(i)所述led的各层的总非零厚度小于10μm，或者所述p掺杂层的非零厚度小于2.0μm。

9.一种用于制造...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·罗佩斯茱莉亚，A·阿巴斯，
申请(专利权)人：亮锐有限责任公司，
类型：发明
国别省市：