【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体封装,尤其涉及一种提升功率模块精准控制的结构。
技术介绍
1、功率模块(power module)是指将功率开关器件,如绝缘栅双极晶体管(igbt),金属-氧化物半导体场效应晶体管(mosfet),快速恢复二极管(fwd)封装成一个模块整体,通过外接栅极电路板和控制单元,完成直流/交流的双方转换,利用电池或其他能量驱动电机运转。实现电流转换的模块可以是单开关,半桥以及三相六单元。封装结构负责提供功率模块所需的机械支撑、电绝缘、散热通道,保证功率芯片的大电流,高功率和高可靠性。
2、在功率模块中,由于单个芯片的载流能力不足,需要在绝缘基板(dbc/amb/ims等)上贴装芯片阵列组成开关电路。然而,对于阵列中并联的每一个芯片,由于空间位置分布上的差异,其电流回路的路径并不相等,这将会导致各个芯片的开关动作不同步。在实际工作中,电信号频率达到几十kkz,开关动作的不同步可能诱发电压尖峰和震荡,进而损伤芯片。
3、同时,由于并联的不同芯片本身存在差异,如果用同一路信号去开关多个芯片,同样也会导致每个
...【技术保护点】
1.一种提升功率模块精准控制的结构,其特征在于,包括有驱动模块、芯片、所述驱动模块位于所述芯片的下端,所述驱动模块中包括有驱动电阻和驱动板上的钳位电路,所述驱动电阻和所述钳位电路集成为一个PCB板;
2.如权利要求1所述的一种提升功率模块精准控制的结构,其特征在于,所述芯片中包括有驱动回路(Gate-source)以及信号采集回路(Drain-source),所述驱动回路(Gate-source)以及信号采集回路(Drain-source)单独通过柔性PCB板或其他软线方式引出模块与所述驱动板相连。
3.如权利要求1所述的一种提升功率模块精准控
...【技术特征摘要】
1.一种提升功率模块精准控制的结构,其特征在于,包括有驱动模块、芯片、所述驱动模块位于所述芯片的下端,所述驱动模块中包括有驱动电阻和驱动板上的钳位电路,所述驱动电阻和所述钳位电路集成为一个pcb板;
2.如权利要求1所述的一种提升功率模块精准控制的结构,其特征在于,所述芯片中包括有驱动回路(gate-source)以及信号采集回路(drain-source),所述驱动回路(gate-source)以及信号采集回路(drain-source)单独通过柔性pcb板或其他软线方式引出模块与所述驱动板相连。
3.如权利要求1所述的一种提升功率模块精准控制的结构,其特征在于,所述驱动模块将并联所述芯片的驱动/信号采集回路在所述模块内部汇集到一起,通过信号pin与所述驱动板连接。
4.如权利要求2所述的一种提升功率模块精准控制的结构,其特征在于,所述pcb板与dbc通过包括但不限于焊接,银烧结,粘接等工艺连接。
5.如权利要求1所述的一种提升功率...
【专利技术属性】
技术研发人员:张振中,郝建勇,刘玮,
申请(专利权)人:苏州中瑞宏芯半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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