一种用于碳化硅衬底的电化学机械抛光方法技术

本发明专利技术涉及电化学机械抛光技术领域，公开了一种用于碳化硅衬底的电化学机械抛光方法，该方法包括如下步骤：通过喷头向固结磨料研磨垫喷出化学液；利用研磨液整理器对固结磨料研磨垫进行预研磨，同时通过喷头向固结磨料研磨垫喷出化学液，以使化学液向通孔中流入；通过抛光头带动碳化硅衬底进行旋转的同时靠近固结磨料研磨垫，并通过喷头向固结磨料研磨垫喷出化学液，同时通过通电的方式使抛光头、碳化硅衬底、通孔中的化学液及抛光台形成导电回路；利用抛光头和抛光台的相对运动，对与固结磨料研磨垫接触的碳化硅衬底进行电化学机械抛光。本发明专利技术提供的电化学机械抛光方法有效解决了目前电化学机械抛光存在抛光效率受研磨液影响的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电化学机械抛光，特别涉及一种用于碳化硅衬底的电化学机械抛光方法。

技术介绍

1、在半导体产品制造过程中，晶圆是当前集成电路的基础半成品，在晶圆的加工过程中需要对晶圆表面进行研磨使其平坦化；晶圆可以使用碳化硅衬底，碳化硅衬底具有禁带宽度大、热导率高、饱和电子迁移速率高等优点，是一种热门的晶圆材料。电化学机械抛光(ecmp，electrochemical mechanical polishing)工艺为一种重要的表面平坦化技术，它可以通过电化学反应对碳化硅衬底表面进行氧化，加快碳化硅衬底表面的氧化效率，再配合机械抛光去除表面氧化层，可以显著提高碳化硅衬底的平坦化效率。

2、现有去除碳化硅衬底表面氧化层的主要方法是研磨时采用金刚石研磨液在传统研磨垫上进行抛光，抛光过程中必须使用研磨液，但电化学机械抛光过程中研磨液内的磨粒会在电场作用下团聚，影响抛光效率。因此，常规的电化学机械抛光方案存在抛光效率受研磨液影响的问题。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术提供了一种用于碳化硅衬底的电化学机械本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于碳化硅衬底的电化学机械抛光方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述抛光头和所述抛光台相对运动时：

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，控制喷头向固结磨料研磨垫喷出化学液时：

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，使用研磨...

【技术特征摘要】

1.一种用于碳化硅衬底的电化学机械抛光方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述抛光头和所述抛光台...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨亮，王磊，左晓磊，蔡长益，张康，
申请(专利权)人：北京晶亦精微科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：