【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种体声波滤波器及其制备方法。
技术介绍
1、利用压电材料的逆压电效应制成的谐振器件，是晶体振荡器和滤波器的关键元件，其常常被应用于体声波滤波器（bulk acoustic wave，baw）中。体声波滤波器的构造方式主要有空气隙型和固体装配型（smr），其中，空气隙型滤波器一般采用mems制造工艺在基片内形成空气间隙，以用于将声波限制在压电震荡堆之中。该结构具有很高的q值，并且具有较好的机械强度。
2、目前，空气隙型滤波器的形成方法可参考图1-图5所示，其具体包括如下步骤。
3、第一步骤，具体参考图1所示，提供第一衬底10，并刻蚀第一衬底10的第一表面，以在第一衬底10中形成空腔10a。以及，在第一衬底10上沉积牺牲材料并执行化学机械抛光（cmp），以在该空腔10a中填充牺牲层11。
4、第二步骤，继续参考图1所示，在第一衬底10的第一表面上依次形成下电极层21、压电层22、上电极层23和钝化层24，同时在第一衬底10的第一表面上还形成有电极引出垫21a和支撑垫21b。
5、第本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种体声波滤波器的制备方法，其特征在于，包括：
2. 如权利要求1所述的体声波滤波器的制备方法，其特征在于，所述调频层的材料包括氮化铝；和/或，所述调频层的厚度为500 Å -2000 Å。
3.如权利要求1所述的体声波滤波器的制备方法，其特征在于，还包括：
4.如权利要求3所述的体声波滤波器的制备方法，其特征在于，在键合所述第二衬底之后，以及形成所述背腔之前，在所述第一衬底内形成所述第一互连线和所述第二互连线。
5.如权利要求3所述的体声波滤波器的制备方法，其特征在于，所述上电极引出垫和所述下电极层的形成方法包括：
6.如...
【技术特征摘要】
1.一种体声波滤波器的制备方法，其特征在于，包括：
2. 如权利要求1所述的体声波滤波器的制备方法，其特征在于，所述调频层的材料包括氮化铝；和/或，所述调频层的厚度为500 å -2000 å。
3.如权利要求1所述的体声波滤波器的制备方法，其特征在于，还包括：
4.如权利要求3所述的体声波滤波器的制备方法，其特征在于，在键合所述第二衬底之后，以及形成所述背腔之前，在所述第一衬底内形成所述第一互连线和所述第二互连线。
5.如权利要求3所述的体声波滤波器的制备方法，其特征在于，所述上电极引出垫和所述下电极层的形成方法包括：
6.如权利要求1或3所述的体声波滤波器的制备方法，其特征在于，在对所述调频层进行修整之后，还包括：在所述第一衬底的第二表面上贴附保护膜，以封闭所述背腔。
7.如权利要求6所述的体声波滤波器的制备方法，其特征在于，在贴附所述保护膜之后，还包括：对所述保护膜进行图形化处理，以使所述第一互连线和所述第二互连线暴露出，并在所述第一互连线上...
【专利技术属性】
技术研发人员：邵志龙，蔡敏豪，王冲，
申请(专利权)人：芯联集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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