一种基于LDO的上电复位电路制造技术

本发明专利技术公开一种基于LDO的上电复位电路，属于集成电路领域，包括运算放大器AMP、逻辑模块、电阻R1～R6、开关SW1～SW2、PMOS管M0～M2、PMOS管M4、NMOS管M3、比较器CMP；本发明专利技术中，NMOS管M3的加入不仅克服了传统电容式POR电路上电速度慢以及快速掉电时，无法正确产生复位信号的缺点，还避免了电压过低时错误触发的现象。两路开关的使用，在电压上升和下降段提供了迟滞电压，使电路受到干扰时也不会产生错误的复位信号，大大提升了电路的稳定性。LDO的使用避免了带隙式POR电路中三极管的使用，减小了电路面积。整体结构利用一个简单的LDO、两个开关和比较器，便可产生可靠的复位信号，电路结构简单而实用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路，特别涉及一种基于ldo的上电复位电路。

技术介绍

1、por(上电复位)电路用来给芯片提供上电复位信号。在电源上电稳定之前，por输出复位信号使芯片处于复位状态。在电源稳定后，复位信号被释放，芯片可以进入正常工作模式。ldo即低压差线性稳压器，能够将波动的电压转换成精确的、稳定的且与负载变化无关的电压。

2、传统的por电路利用电容采样电源电压的变化，当电源上升时间较长时，可能无法产生复位脉冲；当电源快速掉电时，电容上存储的电荷无法快速释放，将会导致二次复位失效，使电路无法正常工作。另外一种采用bandgap(带隙)提供复位信号参考电平的传统por电路，虽然结构简单，但是用到了三极管，导致电路面积大。因此，必须设计一个可靠的、成本低的por电路，使芯片能够进入正确的工作状态。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种基于ldo的上电复位电路，以解决
技术介绍
中的问题。

2、为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种基于ldo的上电复位电路，包括运算放大器amp本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于LDO的上电复位电路，其特征在于，包括运算放大器AMP、逻辑模块、电阻R1～R6、开关SW1～SW2、PMOS管M0～M2、PMOS管M4、NMOS管M3、比较器CMP；

【技术特征摘要】

1.一种基于ldo的上电复位电路，其特征在于，包括运算放大器amp、逻辑模块、电阻r1～r6...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴光林，
申请(专利权)人：上海芯炽科技集团有限公司，
类型：发明
国别省市：