【技术实现步骤摘要】
本申请涉及芯片散热,尤其涉及一种基于直接微射流冷却的高热流密度芯片散热流道结构。
技术介绍
1、基于先进封装技术的三维互联集成技术可显著降低整体功耗、提升功率密度、降低传输损耗、提升器件集成度,是实现功率器件集成化、小型化、多功能化的关键技术,但随之而来的现代电子芯片性能、频率和集成度的不断提高和芯片尺寸的不断减小,使得电子芯片的热流密度迅猛增长,已经成为先进电子芯片系统研发和应用中的一项重大挑战。
2、目前,gan功率器件的平均热流密度已经接近1kw/cm2,芯片有源区局部热流密度甚至达到平均值的10倍以上。如果散热不当,致使芯片温度超过临界极限,会增加芯片漏电流,降低芯片的寿命和计算效率,从而对整个系统性能造成严重影响。统计数据表明:元器件的失效率随着器件温度的上升呈指数规律上升,器件温度在70~80℃的水平上每升高1℃,其可靠性降低5%。如何快速地将芯片有源区热量向环境转移,降低芯片结温,从而提高芯片的工作性能、保证芯片安全、延长芯片寿命已成为当今微电子
面临的重要课题,针对高热流密度芯片高效散热技术的研究和创新
【技术保护点】
1.一种基于直接微射流冷却的高热流密度芯片散热流道结构,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的基于直接微射流冷却的高热流密度芯片散热流道结构,其特征在于,所述射流腔(15)四周设有密封槽(18),所述密封槽(18)用于置入密封圈。
3.如权利要求1所述的基于直接微射流冷却的高热流密度芯片散热流道结构,其特征在于,多个所述回流孔(16)位于一个所述射流孔(14)的周围,沿着以所述射流孔(14)中心为圆心的圆周等间隔排列,组成具有局部回流网络的微射流冷却“单元结构”。
4.如权利要求3所述的基于直接微射流冷却的高热流密度芯片散热流道
...【技术特征摘要】
1.一种基于直接微射流冷却的高热流密度芯片散热流道结构,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的基于直接微射流冷却的高热流密度芯片散热流道结构,其特征在于,所述射流腔(15)四周设有密封槽(18),所述密封槽(18)用于置入密封圈。
3.如权利要求1所述的基于直接微射流冷却的高热流密度芯片散热流道结构,其特征在于,多个所述回流孔(16)位于一个所述射流孔(14...
【专利技术属性】
技术研发人员:马岩,张立,吕苗,谢欢欢,席俊波,李宝新,何伟,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第二十研究所,
类型:发明
国别省市:
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