一种基于硅基氮化镓外延片再生硅基的方法技术

本发明专利技术属于半导体领域，具体公开一种基于硅基氮化镓外延片再生硅基的方法。本发明专利技术先通过溴化氢气体与硅基上的氮化镓在高温下进行分解反应，再配合后续的清洗，可以完成硅基表面氮化物祛除以及表面残留颗粒清洗，得到干净的再生硅基，该硅基可以再次利用生长如氮化镓、氮化镓铟等外延片，从而实现硅基的重复利用，降低硅资源的浪费及生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体领域，具体涉及一种基于硅基氮化镓外延片再生硅基的方法。

技术介绍

1、有机金属化学气相沉积法(mocvd，metal-organic chemical vapordeposition)，是在基板上成长半导体薄膜的一种方法，属于一种在衬底表面生长一层晶态或非晶态薄膜层，属于一种外延工艺，该晶态或非晶态薄膜层及其衬底整体被称为外延片。硅(si)基氮化镓(gan)外延片是一种应用较广泛的外延片，主要用于制造电子元件，如晶体管、集成电路、光电子器件等。

2、随着社会的发展及技术的进步，硅基氮化镓外延片的尺寸不断增大，从开始的2英寸已发展到了12英寸，所需的硅基及氮化镓原料随之增长。同时，随着外延片尺寸的增加，其生长难度也不断加大，导致生产成本不断攀升。又因在生产过程中的需求、工艺等方面各种原因，往往存在大量报废的硅基氮化镓外延片，导致资源的浪费和生产成本的增加。

3、将报废的硅基氮化镓外延片进行再生，并实现重复再利用，有望减少硅基资源浪费及降低成本。但是，因硅(si)基中的硅元素最外层的4个价电子让硅原子处于亚稳定结构，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于硅基氮化镓外延片再生硅基的方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的基于硅基氮化镓外延片再生硅基的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述分解反应的时间为1-5h，所述溴化氢气体的压力为0.5-1bar。

3.如权利要求1所述的基于硅基氮化镓外延片再生硅基的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述氮气的压力为2-3bar，氮气吹扫的时间为0.5-3h；所述硅基氮化镓外延片的载体为石英材质的载体。

4.如权利要求1所述的基于硅基氮化镓外延片再生硅基的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述升温的速率为0.1-0.5℃/s。

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【技术特征摘要】

1.一种基于硅基氮化镓外延片再生硅基的方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的基于硅基氮化镓外延片再生硅基的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述分解反应的时间为1-5h，所述溴化氢气体的压力为0.5-1bar。

3.如权利要求1所述的基于硅基氮化镓外延片再生硅基的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述氮气的压力为2-3bar，氮气吹扫的时间为0.5-3h；所述硅基氮化镓外延片的载体为石英材质的载体。

4.如权利要求1所述的基于硅基氮化镓外延片再生硅基的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述升温的速率为0.1-0.5℃/s。

5.如权利要求1所述的基于硅基氮化镓外延片再生硅基的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述喷淋水洗的时间为2-3min。

6.如权利要求1所述的基于硅基氮化镓外延片再生硅基的方法，其特征在于，步骤(2)中，在药液中超声清洗时，所述药液为盐酸水溶液，所述药液中盐酸的质量百分含量为5-12％，超声清...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：星钥珠海半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：