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本发明属于半导体领域，具体公开一种基于硅基氮化镓外延片再生硅基的方法。本发明先通过溴化氢气体与硅基上的氮化镓在高温下进行分解反应，再配合后续的清洗，可以完成硅基表面氮化物祛除以及表面残留颗粒清洗，得到干净的再生硅基，该硅基可以再次利用生长如...
该专利属于星钥（珠海）半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过星钥（珠海）半导体有限公司授权不得商用。

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