【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及具备温度补偿的晶体振荡器，具体地，涉及一种通过使用负温度系数 (NTC)电容器来实现温度补偿的压控晶体振荡器(VCXO)。
技术介绍
国际电工委员会(IEC)将石英晶体振荡器分为4类普通晶体振荡器(SPXO)、压 控晶体振荡器(VCXO)、温度补偿式晶体振荡器(TCXO)、恒温控制式晶体振荡器(OCXO)。目 前发展中的还有数字补偿式晶体振荡器(DCXO)等。按照频率精度从低到高的顺序依次为 普通晶体振荡器、压控晶体振荡器、温度补偿式晶体振荡器、恒温控制式晶体振荡器。普通 晶体振荡器由于频率精度要求不高，所以一般没有采用任何温度频率补偿措施，价格低廉， 通常用作微处理器的时钟器件。压控晶体振荡器通常用于锁相环电路，一般没有采用外加 的温度频率补偿措施。温度补偿式晶体振荡器采用外加的温度敏感器件进行温度频率补 偿，频率精度达到10—7 10—6量级，通常用于手持电话、蜂窝电话、双向无线通信设备等。 恒温控制式晶体振荡器将晶体和振荡电路置于恒温箱中，以消除环境温度变化对频率的影 响。主要用于一些特定的场合。 这四种晶体振荡器中的压控晶体振荡器通常用于对...
【技术保护点】
一种具备温度补偿的晶体振荡器，所述晶体振荡器包括晶体，其特征在于：在所述晶体振荡器中，形成所述晶体的负载电容的多个电容器至少之一采用ＮＴＣ电容器来实现。
【技术特征摘要】
一种具备温度补偿的晶体振荡器，所述晶体振荡器包括晶体，其特征在于在所述晶体振荡器中，形成所述晶体的负载电容的多个电容器至少之一采用NTC电容器来实现。2. 如权利要求1所述的晶体振荡器，其特征在于还包括一并联NTC电容器，并联在所 述晶体的两端。3. 如权利要求1或2所述的晶体振荡器，其中所述晶体振荡器是普通晶体振荡器、压控 晶体振荡器、温度补偿式晶体振荡器、恒温控制式晶体振荡器之一。4. 如权利要求3所述的晶体振荡器，其中当所述晶体振荡器是压控晶体振荡器时，压 控晶体振荡电路的激励单元是用下列之一者实现晶体管、M0S管以及反相器。5. 如权利要求4所述的晶体振荡器，其中所述压控晶体振荡电路是下列结构之一者 考毕兹结构以及皮尔斯结构。6. 如权利要求1所述的晶体振荡器，其中所述NTC电容器的材料的温度系数为 750w)m+/-120i)pm/°C。7. —种具备温度补偿的压控晶体振荡器，所述压控晶体振荡器包括 第一电路，所述第一电路包括晶体；第一电容器，所述第一电容器的一端接地； 第二电容器，与所述第一...
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