有机盐、包括其的光致抗蚀剂组合物和通过使用该光致抗蚀剂组合物形成图案的方法技术

提供有机盐、包括其的光致抗蚀剂组合物和通过使用该光致抗蚀剂组合物形成图案的方法，所述有机盐由下面的式1表示。式1的描述提供在本文中。式1

【技术实现步骤摘要】

本公开内容涉及有机盐、包括其的光致抗蚀剂(光刻胶)组合物、和通过使用该光致抗蚀剂组合物形成图案的方法。

技术介绍

1、在半导体的制造期间，其物理性质响应于光而改变的光致抗蚀剂被用来形成精细图案。在光致抗蚀剂之中，化学放大光致抗蚀剂已被广泛使用。在化学放大光致抗蚀剂中，在光与光致产酸剂反应时形成的酸又与基础树脂反应以改变基础树脂在显影溶液中的溶解度，从而使得实现图案化。

2、然而，在化学放大光致抗蚀剂的情况下，形成的酸可扩散到未曝光的区域，这可造成问题例如图案的均匀性的降低或表面粗糙度的增加。尽管有时用猝灭剂来解决这样的问题，但猝灭剂的使用具有曝光所需的剂量可增加的问题。因此，需要具有改善的分散性和/或改善的与基础树脂的相容性并且即使在使用少的量时也能够有效地起作用的猝灭剂。

技术实现思路

1、提供能够用作具有改善的分散性和/或相容性的猝灭剂的有机盐、包括其的光致抗蚀剂组合物、以及通过使用该光致抗蚀剂组合物形成图案的方法。

2、另外的方面将部分地在随后的描述中阐明，并且将部分地从所述描述本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.有机盐，其由下面的式1表示：

2.如权利要求1所述的有机盐，其中L1为单键，或未取代的或被氘、卤素、C1-C20烷基、或其组合取代的C1-C20亚烷基。

3.如权利要求1所述的有机盐，其中CY1为未取代的或被氘、卤素、羟基、C1-C20烷基、C3-C20环烷基、C6-C20芳基、C3-C20杂芳基、或其组合取代的C3-C20亚环烷基、C1-C20亚杂环烷基、C6-C20亚芳基、或C3-C20亚杂芳基。

4.如权利要求1所述的有机盐，其中CY1为未取代的或被氘、卤素、羟基、C1-C20烷基、C3-C20环烷基、C6-C20芳基、C3-C20杂芳基、或...

【技术特征摘要】

1.有机盐，其由下面的式1表示：

2.如权利要求1所述的有机盐，其中l1为单键，或未取代的或被氘、卤素、c1-c20烷基、或其组合取代的c1-c20亚烷基。

3.如权利要求1所述的有机盐，其中cy1为未取代的或被氘、卤素、羟基、c1-c20烷基、c3-c20环烷基、c6-c20芳基、c3-c20杂芳基、或其组合取代的c3-c20亚环烷基、c1-c20亚杂环烷基、c6-c20亚芳基、或c3-c20亚杂芳基。

4.如权利要求1所述的有机盐，其中cy1为未取代的或被氘、卤素、羟基、c1-c20烷基、c3-c20环烷基、c6-c20芳基、c3-c20杂芳基、或其组合取代的亚金刚烷基、亚降莰烷基、亚三环癸基、或亚四环十二烷基。

5.如权利要求1所述的有机盐，其中cy1为被-f、-cl、-br、-i、羟基、c1-c10烷基、环戊基、环己基、苯基、萘基、或其组合取代的亚金刚烷基、亚降莰烷基、亚三环癸基、或亚四环十二烷基。

6.如权利要求1所述的有机盐，其中r包含至少一个氟原子。

7.如权利要求1所述的有机盐，其中r为未取代的或被氘、卤素、羟基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c3-c20环烷基、c6-c20芳基、c6-c20芳氧基、c3-c20杂芳基、或其组合取代的c1-c20烷基、c3-c20环烷基、c1-c20杂环烷基、c6-c20芳基、...

【专利技术属性】
技术研发人员：H·金，高行德，金惠兰，南煐敏，宋智永，李昶宪，A·田，蔡贞厦，李松世，洪锡九，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：