鎓盐型单体、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法技术

本发明专利技术涉及鎓盐型单体、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明专利技术的课题为提供在使用高能射线的光学光刻中，良好的感度、对比度，且曝光裕度、边缘粗糙度、尺寸均匀性、焦点深度等光刻性能优异，同时即便在微细图案形成中抗图案崩塌仍强且蚀刻耐性亦优异的化学增幅抗蚀剂组成物中使用的鎓盐型单体；包含来自于该鎓盐型单体的重复单元的聚合物；包含该聚合物的化学增幅抗蚀剂组成物；及使用该化学增幅抗蚀剂组成物的图案形成方法。本发明专利技术的解决手段为以下式(a1)表示的鎓盐型单体。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于鎓盐型单体、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法。

技术介绍

1、伴随lsi的高整合化及高速度化，图案规则的微细化急速进展。尤其，快闪存储器市场的扩大及记忆容量的增大化带动微细化。就最先端的微细化技术而言，以arf光刻所为的65nm节点装置的量产已有进行，次一代的arf浸润光刻所为的45nm节点装置的量产准备进行中。就次一代的32nm节点装置而言，组合了比水更高折射率的液体以及高折射率透镜、高折射率抗蚀剂膜的超高na透镜所为的浸润光刻、波长13.5nm的极紫外线(euv)光刻、arf光刻的二重曝光(双重图案化光刻)等候选，研究正在进行。

2、随着微细化进行、接近光的绕射极限，光的对比度降低。因为光的对比度的降低，正型抗蚀剂膜中发生孔图案、沟渠图案的分辨性、聚焦边限(focus margin)的降低。

3、伴随图案的微细化，线图案的边缘粗糙度(lwr)及孔图案的尺寸均匀性(cdu)被视为问题。已有人指出基础聚合物、酸产生剂的不均匀分布、凝聚的影响、酸扩散的影响。然后，因为抗蚀剂膜的薄膜化而有lwr变大的倾向，伴随微本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种鎓盐型单体，以下式(a1)表示；

2.根据权利要求1所述的鎓盐型单体，以下式(a1-1)表示；

3.根据权利要求2所述的鎓盐型单体，以下式(a1-2)表示；

4.根据权利要求1所述的鎓盐型单体，其中，Z+为下式(cation-1)表示的锍阳离子或下式(cation-2)表示的錪阳离子；

5.一种聚合物，包含来自于根据权利要求1所述的鎓盐型单体的重复单元。

6.根据权利要求5所述的聚合物，更包含下式(b1)或(b2)表示的重复单元；

7.根据权利要求5所述的聚合物，更包含以下式(c1)表示的重复单元；

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【技术特征摘要】

1.一种鎓盐型单体，以下式(a1)表示；

2.根据权利要求1所述的鎓盐型单体，以下式(a1-1)表示；

3.根据权利要求2所述的鎓盐型单体，以下式(a1-2)表示；

4.根据权利要求1所述的鎓盐型单体，其中，z+为下式(cation-1)表示的锍阳离子或下式(cation-2)表示的錪阳离子；

5.一种聚合物，包含来自于根据权利要求1所述的鎓盐型单体的重复单元。

6.根据权利要求5所述的聚合物，更包含下式(b1)或(b2)表示的重复单元；

7.根据权利要求5所述的聚合物，更包含以下式(c1)表示的重复单元；

8.根据权利要求5所述的聚合物，更包含以下式(d1)表示的重复单元；

【专利技术属性】
技术研发人员：福岛将大，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：