半导体器件制备方法及半导体器件、磁传感器或磁存储器技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件制备方法及半导体器件、磁传感器或磁存储器，该半导体器件制备方法通过在衬底上依次沉积低电阻率的第一金属层、和高电阻率的第二金属层，之后一起刻蚀第二金属层和第一金属层，形成多根底部金属连线，再旋涂填充物后刻蚀填充物和第二金属层，以在每根底部金属连线上形成多个相互分离的底电极。同时，还使底电极上表面与底部金属连线上表面之间的高度差小于第二金属层的厚度，且大于设定阈值。从而后续在制备磁性隧道结的刻蚀过程中，即使需要过刻蚀，也不会刻蚀到低电阻率的第一金属层，从而减少刻蚀制备磁性隧道结过程中的反溅问题，减少污染。同时降低底部金属连线的线阻。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件制备方法及半导体器件、磁传感器或磁存储器。

技术介绍

1、目前在包含磁性隧道结的磁传感器或磁存储器的制备过程中，普遍采用离子束刻蚀对磁性隧道结多层膜进行刻蚀形成多个磁性隧道结(mtj)。在刻蚀过程中，底部电极金属存在引起的刻蚀反溅现象，是磁性隧道结半导体器件失效的主要原因之一。如何有效避免制备过程中产生的反溅，增加有效半导体器件样本数尤为重要。为防止磁性隧道结刻蚀过程中，因刻蚀到底部电极金属(如铜、铝等)产生污染及刻蚀速率变化等，磁性隧道结的底部电极金属材料通常选择钽、钛等电阻率相对于铜铝更大的金属及其氮化物。但是，磁性隧道结通常为两端半导体器件，如底电极和顶电极(及其引线)的电阻过大，会严重影响磁性隧道结半导体器件参数(包括tmr、rp、vc等)准确性。

技术实现思路

1、本专利技术提供了一种半导体器件制备方法及半导体器件、磁传感器或磁存储器，以减少刻蚀制备磁性隧道结过程中的反溅问题，减少污染，同时降低底部金属连线的线阻。

2、第一方面，本专利技术提供本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件制备方法，其特征在于，所述在每个底电极上形成磁性隧道结包括：

3.如权利要求1所述的半导体器件制备方法，其特征在于，所述设定阈值为刻蚀所述磁性隧道结材料层过程中所需的过刻蚀深度量。

4.如权利要求2所述的半导体器件制备方法，其特征在于，所述从上至下刻蚀所述磁性隧道结材料层，在每个底电极上形成所述磁性隧道结，包括：

5.如权利要求1所述的半导体器件制备方法，其特征在于，还包括：

6.如权利要求1所述的半导体器件制备方法，其特征在于，还包括：

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【技术特征摘要】

1.一种半导体器件制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件制备方法，其特征在于，所述在每个底电极上形成磁性隧道结包括：

3.如权利要求1所述的半导体器件制备方法，其特征在于，所述设定阈值为刻蚀所述磁性隧道结材料层过程中所需的过刻蚀深度量。

4.如权利要求2所述的半导体器件制备方法，其特征在于，所述从上至下刻蚀所述磁性隧道结材料层，在每个底电极上形成所述磁性隧道结，包括：

5.如权利要求1所述的半导体器件制...

【专利技术属性】
技术研发人员：于志猛，申力杰，侯艳婷，何世坤，
申请(专利权)人：浙江驰拓科技有限公司，
类型：发明
国别省市：

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