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本发明提供了一种半导体器件制备方法及半导体器件、磁传感器或磁存储器，该半导体器件制备方法通过在衬底上依次沉积低电阻率的第一金属层、和高电阻率的第二金属层，之后一起刻蚀第二金属层和第一金属层，形成多根底部金属连线，再旋涂填充物后刻蚀填充物和第...
该专利属于浙江驰拓科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江驰拓科技有限公司授权不得商用。

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