碳化硅涂层石墨基座及其制备方法与应用技术

本发明专利技术涉及一种碳化硅涂层石墨基座及其制备方法与应用，该碳化硅涂层石墨基座的制备方法，包括以下步骤：将含硅粉体以及石墨基座置于反应容器中，含硅粉体选自SiO粉体或Si粉中的一种；对反应容器进行抽真空处理，向反应容器中通入CO气体并加热，CO气体与含硅粉体挥发形成的含硅气体进行化学气相反应，在石墨基座表面形成碳化硅涂层，其中，向反应容器中通入CO气体并加热的步骤中，反应容器的温度大于1400℃，CO气体的流量小于800sccm。该碳化硅涂层石墨基座的制备方法能够很好的提高碳化硅涂层的致密性以及在石墨基座中的嵌入深度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别是涉及碳化硅涂层石墨基座及其制备方法与应用。

技术介绍

1、随着发光二极管（light-emitting diode，led）产业迅速发展，led外延片的需求量不断增加，led外延片是指在衬底基片上生长出来的单晶薄膜，承载衬底基片的碳化硅涂层石墨基座的品质直接影响了led外延片的质量。然而，传统的碳化硅涂层石墨基座中，碳化硅涂层与石墨基座的结合力差，在石墨基座中的嵌入深度不足，进而影响led外延片的质量。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对上述问题，提供一种碳化硅涂层石墨基座及其制备方法与应用，该碳化硅涂层的制备方法能够很好得控制碳化硅涂层在石墨基座中的嵌入深度。

2、本专利技术公开了一种碳化硅涂层石墨基座的制备方法，包括以下步骤：

3、将含硅粉体以及石墨基座置于反应容器中，所述含硅粉体包括sio粉体或si粉中的一种；

4、对所述反应容器进行抽真空处理，向所述反应容器中通入co气体并加热，所述co气体与所述含硅粉体挥发形成的含硅气体进行化学气相反本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅涂层石墨基座的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的碳化硅涂层石墨基座的制备方法，其特征在于，当所述含硅粉体为SiO粉体时，通入CO气体的步骤中，所述CO气体的流量大于或等于600sccm，且小于800sccm；

3.根据权利要求1所述的碳化硅涂层石墨基座的制备方法，其特征在于，加热的步骤中，升温速率为5℃/min-10℃/min。

4.根据权利要求1-3任一项所述的碳化硅涂层石墨基座的制备方法，其特征在于，加热的步骤中，所述反应容器的温度小于或等于1800℃，且大于1400℃。

5.根据权利要求1-3...

【技术特征摘要】

1.一种碳化硅涂层石墨基座的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的碳化硅涂层石墨基座的制备方法，其特征在于，当所述含硅粉体为sio粉体时，通入co气体的步骤中，所述co气体的流量大于或等于600sccm，且小于800sccm；

3.根据权利要求1所述的碳化硅涂层石墨基座的制备方法，其特征在于，加热的步骤中，升温速率为5℃/min-10℃/min。

4.根据权利要求1-3任一项所述的碳化硅涂层石墨基座的制备方法，其特征在于，加热的步骤中，所述反应容器的温度小于或等于1800℃，且大于1400℃。

5.根据权利要求1-3任一项所述的碳化硅涂层石墨基座的制备方法，其特征在于，将含硅粉体以及石墨基座置于反应容器中的步骤中，所述含硅粉体的质量与所述石墨基座的质量比为1:2-1:20...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅霖兵，请求不公布姓名，门玉娟，请求不公布姓名，春伟博，
申请(专利权)人：浙江晶诚新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：