【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。
技术介绍
1、作为半导体器件的制造工序的一个工序，有时进行在衬底上形成膜的处理(例如，参见专利文献1)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2021-39970号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、本专利技术提供能够提高形成在衬底上的膜的阶差被覆性(阶梯覆盖率，stepcoverage)的技术。
3、用于解决课题的手段
4、根据本专利技术的一个方式，提供一种技术，其中，通过将包括下述(a)、(b)、(c)的循环执行规定次数，从而在衬底上形成包含规定元素的氧化膜：
5、(a)通过对衬底供给包含规定元素及卤元素的第1原料，从而在前述衬底上形成由前述卤元素封端的包含前述规定元素的第1层的工序；
6、(b)通过对形成有前述第1层的前述衬底供给在1分子中包含前述规定元素、及与前述规定元素键合的...
【技术保护点】
1.衬底处理方法，其中，通过将包括下述(a)、(b)、(c)的循环执行规定次数，从而在衬底上形成包含规定元素的氧化膜：
2.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述氧化膜形成在设于所述衬底的表面的凹状结构的内表面。
3.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，(b)在通过对未形成所述第1层的所述衬底供给所述第2原料而所述第2原料所含的所述规定元素能吸附在所述衬底上的处理条件下执行。
4.如权利要求3所述的衬底处理方法，其中，所述处理条件包括温度条件及压力条件中的至少任一者。
5.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在(...
【技术特征摘要】
1.衬底处理方法，其中，通过将包括下述(a)、(b)、(c)的循环执行规定次数，从而在衬底上形成包含规定元素的氧化膜：
2.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述氧化膜形成在设于所述衬底的表面的凹状结构的内表面。
3.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，(b)在通过对未形成所述第1层的所述衬底供给所述第2原料而所述第2原料所含的所述规定元素能吸附在所述衬底上的处理条件下执行。
4.如权利要求3所述的衬底处理方法，其中，所述处理条件包括温度条件及压力条件中的至少任一者。
5.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在(b)中向所述衬底供给的所述第2原料的分压大于在(a)中向所述衬底供给的所述第1原料的分压。
6.如权利要求5所述的衬底处理方法，其中，(b)中的所述衬底所存在的空间的压力大于(a)中的所述衬底所存在的空间的压力。
7.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述第1原料为在1分子中包含所述规定元素彼此的键的气体。
8.如权利要求7所述的衬底处理方法，其中，在(a)中，在发生气相中的所述规定元素彼此的键的切断的处理条件下，对所述衬底供给所述第1原料。
9.如权利要求7所述的衬底处理方法，其中，所述第1原料为在1分子中不含氢的气体。
10.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，构成所述第2原料的所述规定元素的化学键之中，与所述唯一的氨基键合的化学键以外的化学键与氢键合。
11.如权利要求1所述的衬底处理方法，...
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