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本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。提供能提高形成在衬底上的膜的阶梯覆盖率的技术。通过将包括下述(a)、(b)、(c)的循环执行规定次数，从而在衬底上形成包含规定元素的氧化膜：(a)通过对衬底供给包含规定元...
该专利属于株式会社国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社国际电气授权不得商用。

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