【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及led芯片，尤其涉及一种发光像素led的芯片结构及其制备方法。
技术介绍
1、目前，在实现全彩mi cro-led中，主要是采用了量子点光学转换膜+蓝光mi cro-led的方案，同时采用该方案的全彩mi cro-led已经实现了产品化。
2、量子点光学转换膜+蓝光mi cro-led的方案，主要是在蓝光芯片上形成绿光及红光量子点膜，led芯片上每个像素发出的蓝光可分别激发位于像素上方的量子点，量子点将led芯片发出的蓝光转换为绿光或者红光，从而实现mi cro-led的全彩化。而为了制备量子点彩色层，量子点一般被分散在光刻胶中，但是量子点的表面能较大，容易发生团聚，从而导致发光器件的色彩品质较低，同时量子点只有在粒子分散情况良好时才能表现出它们的特殊性质，但由于量子点的表面积大，使得表面能高，从而容易处于热力学不稳状态，极易团聚形成大颗粒，进而导致量子点失效。
3、因此，目前亟需一种能够避免量子点团聚、提高发光色彩品质、提高热稳定性的发光像素led芯片。
技术实现思路<
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【技术保护点】
1.一种发光像素LED的芯片结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的一种发光像素LED的芯片结构，其特征在于，所述发光层中还设置有平坦层，所述平坦层设置于各发光单元的中间间隔处。
3.如权利要求2所述的一种发光像素LED的芯片结构，其特征在于，所述平坦层和所述发光单元之间设置有导电层和钝化层，所述钝化层设置于所述发光单元的侧壁，所述导电层沿着所述平坦层的底部、所述钝化层的外侧壁和所述发光单元的顶部分布。
4.如权利要求1-3任意一项所述的一种发光像素LED的芯片结构，其特征在于，所述发光层和所述限制层之间还设置有阻挡层。p>
5.如权利...
【技术特征摘要】
1.一种发光像素led的芯片结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的一种发光像素led的芯片结构，其特征在于，所述发光层中还设置有平坦层，所述平坦层设置于各发光单元的中间间隔处。
3.如权利要求2所述的一种发光像素led的芯片结构，其特征在于，所述平坦层和所述发光单元之间设置有导电层和钝化层，所述钝化层设置于所述发光单元的侧壁，所述导电层沿着所述平坦层的底部、所述钝化层的外侧壁和所述发光单元的顶部分布。
4.如权利要求1-3任意一项所述的一种发光像素led的芯片结构，其特征在于，所述发光层和所述限制层之间还设置有阻挡层。
5.如权利要求4所述的一种发光像素led的芯片结构，其特征在于，所述限制层中还设置有栅格层，所述栅格层设置于各所述空间限制单元的中间间隔处。
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：星钥珠海半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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