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本发明公开了一种发光像素LED的芯片结构及制备方法,结构包括:衬底;设置于所述衬底上方的发光层,所述发光层设置有若干发光单元;设置于所述发光层上方的限制层,所述限制层中设置有对应于每一所述发光单元的空间限制单元;其中,每一所述空间限制单元中...该专利属于星钥(珠海)半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过星钥(珠海)半导体有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种发光像素LED的芯片结构及制备方法,结构包括:衬底;设置于所述衬底上方的发光层,所述发光层设置有若干发光单元;设置于所述发光层上方的限制层,所述限制层中设置有对应于每一所述发光单元的空间限制单元;其中,每一所述空间限制单元中...