【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种高功率边射型激光装置及其制造方法，特别是关于一种具有脊波导结构，且能降低制造及封装成本的高功率边射型激光装置及其制造方法。
技术介绍
1、在使用led或面射型激光(vcsel)为光源的应用中，封装的方式是以表面发光的特性做设计。相较之下，边射型激光(edge emitting laser)则是侧面发光的类型，若要转换成为表面光源，最直觉的方式就是将激光装置转90度立起来使用，或是在激光装置旁另外放置反射镜，让侧向光经由反射镜转折而成为表面发光。然而，这些方式都要改变不同于led或面射型激光的封装方式，让封装工艺的困难度与成本大大的提高。
2、现有制作边射型激光组件的工艺，于芯片工艺中，大致步骤依序为制作脊波导(ridge etching)，绝缘保护层形成(passivation)，接触电极开口形成(via open)，制作金属电极(contact metal)，研磨(lapping)，背金(back side metal)，待完成后，将芯片以劈裂(cleaving)方式形成晶条(laser bar)，此时...
【技术保护点】
1.一种高功率边射型激光装置，其包含：
2.如权利要求1所述的高功率边射型激光装置，其中所述脊波导由所述第二披覆层延伸至所述发光层及所述第一披覆层。
3.如权利要求1所述的高功率边射型激光装置，其中所述脊波导由所述第二披覆层延伸至所述发光层、所述第一披覆层及所述基板。
4.如权利要求1所述的高功率边射型激光装置，其中在所述第一方向上，所述脊波导的长度小于或等于所述发光层的长度。
5.如权利要求1所述的高功率边射型激光装置，其中所述脊波导包含在所述第二方向上并排设置的多个脊波导结构，所述多个脊波导结构的所述外延部相互连接形
...【技术特征摘要】
1.一种高功率边射型激光装置，其包含：
2.如权利要求1所述的高功率边射型激光装置，其中所述脊波导由所述第二披覆层延伸至所述发光层及所述第一披覆层。
3.如权利要求1所述的高功率边射型激光装置，其中所述脊波导由所述第二披覆层延伸至所述发光层、所述第一披覆层及所述基板。
4.如权利要求1所述的高功率边射型激光装置，其中在所述第一方向上，所述脊波导的长度小于或等于所述发光层的长度。
5.如权利要求1所述的高功率边射型激光装置，其中所述脊波导包含在所述第二方向上并排设置的多个脊波导结构，所述多个脊波导结构的所述外延部相互连接形成外延结构。
6.如权利要求1所述的高功率边射型激光装置，进一步包含反射镜金属层，所述反射镜金属层设置在所述基板上，并且所述反射镜金属层的斜面朝向于所述发光面，所述反射镜金属层的顶端与所述发光面之间具有水平距离。
7.如权利要求6所述的高功率边射型激光装置，其中所述反射镜金属层的顶端的高度高于所述发光面的高度，所述水平距离小于所述发光层的深度的12倍。
8.如权利要求6所述的高功率边射型激光装置，其中所述反射镜金属层的斜面与所述发光面之间具有沟槽。
9.如权利要求6所述的高功率边射型激光装置，其中所述反射镜金属层包含ti/al、cr/al、cr/au、ni/al、ni/au、auge/au或auge/ni/au。
10.如权利要求1所述的高功率边射型激光装置，进一步包含金属薄膜，所述金属薄膜设置于部分的所述镀膜层上且覆盖所述反射面，所述金属薄膜通过开口接触所述覆盖层。
11.如权利要求10所述的高功率边射型激光装置，其中所述金属薄膜包含ti/au、ti/al、cr/al、cr/au、ni/al、ni/au或au。
12.一种高功率边射型激光装置的制造方法，其包含以下步骤：
13.如权利要求12所述的高功率边射型激光装置的制造方法，其中蚀刻所述覆盖层及所述第二披覆层时，进一步蚀刻所述发光层及所述第一披覆层，使...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈发慈，郑如纯，
申请(专利权)人：和光光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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