【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种芯片与集成散热器的封装结构。
技术介绍
1、诸如半导体、集成电路封装、晶体管等电子组件通常具有其最佳操作的温度。但电子组件的操作产生热若未经移除，则电子组件将面临在在显著高温的环境下操作，而不利于电子组件的操作特性及相关联装置的操作。
2、尤其是，随着半导体技术的增进，往往也伴随着具有更高密度的电子组件及集成电路，故半导体芯片在运作时将随之产生更大量的热能。
3、因此，如何针对具有更高密度的电子组件及集成电路提供对应的散热手段，实为相关技术人员所需思考并解决的课题。
技术实现思路
1、本专利技术是针对一种芯片与集成散热器的封装结构，其通过由石墨板与热传介质的搭配，而能提供具有较佳热传效率的散热路径。
2、根据本专利技术的实施例，芯片与集成散热器的封装结构包括基板、芯片、热传介质以及散热器。芯片配置于基板上，热传介质配置于芯片上。散热器呈盖体，配置于基板上以覆盖芯片与热传介质，其中热传介质抵接在芯片与散热器之间。散热器是以石墨板与至少一铜...
【技术保护点】
1.一种芯片与集成散热器的封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片与集成散热器的封装结构，其特征在于，所述铜层的外表面镀有镍层。
3.根据权利要求2所述的芯片与集成散热器的封装结构，其特征在于，位于所述石墨板的其中一表面的所述铜层与所述镍层的厚度和是0.05mm至2mm。
4.根据权利要求1所述的芯片与集成散热器的封装结构，其特征在于，所述热传介质是液态金属，具有热传系数30W/m·K至40W/m·K。
5.根据权利要求1所述的芯片与集成散热器的封装结构，其特征在于，所述热传介质是包含铟的焊接材，具有热...
【技术特征摘要】
1.一种芯片与集成散热器的封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片与集成散热器的封装结构，其特征在于，所述铜层的外表面镀有镍层。
3.根据权利要求2所述的芯片与集成散热器的封装结构，其特征在于，位于所述石墨板的其中一表面的所述铜层与所述镍层的厚度和是0.05mm至2mm。
4.根据权利要求1所述的芯片与集成散热器的封装结构，其特征在于，所述热传介质是液态金属，具有热传系数30w/m·k至40w/m·k。
5.根据权利要求1所述的芯片与集成散热器的封装结构，其特征在于，所述热传介质是包含铟的焊接材，具有热传系数81.8w/m·k，以钎焊制程结合在所述散热器与所述芯片之...
【专利技术属性】
技术研发人员：林光华，谢铮玟，廖文能，戴文杰，
申请(专利权)人：宏碁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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