一种电阻负载反相器件及制作方法、集成电路、电子设备技术

本发明专利技术公开一种电阻负载反相器件及制作方法、集成电路、电子设备，涉及微电子器件技术领域，在解决电阻负载反相器件容易受到辐照效应的影响，导致器件性能退化乃至失效的问题的同时，减小电阻负载反相器件的面积，提高器件的集成度，以提升器件的性能。所述电阻负载反相器件包括：衬底、以及形成在所述衬底上的晶体管和电阻器，其中：晶体管包括栅极、阻挡层和有源区；栅极形成在部分衬底上；阻挡层覆盖在栅极和衬底上；有源区形成在阻挡层上，有源区包括源极区和漏极区，源极区与漏极区之间具有空气沟道，有源区的材质均为金属材质；电阻器直接形成在源极区或漏极区上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子器件，尤其涉及一种电阻负载反相器件及制作方法、集成电路、电子设备。

技术介绍

1、电阻反相器是微电子数字集成电路中最基本的单元电路。现阶段应用最广的反相器是互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor transistor，cmos)反相器，由一个增强型nmos和一个增强型pmos管组成，利用两者的互补特性获得良好的电路性能。

2、目前，在mosfet工艺中，通常利用半导体材料制备源极和漏极之间的半导体沟道。当在辐照环境中工作时，半导体沟道容易受到辐照效应的影响，从而导致器件性能退化乃至失效。此外，在制作电阻反相器时，还需要在晶体管与电阻器之间形成金属连接层，以使电阻器与晶体管连接，也不利于减小器件的面积，提高器件的集成度，进而提升器件的性能。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种电阻负载反相器件及制作方法、集成电路、电子设备，用于在解决电阻负载反相器件容易受到辐照效应的影响，导致器件性能退化乃至失效的问题的同时本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电阻负载反相器件，其特征在于，包括：衬底、以及形成在所述衬底上的晶体管和电阻器，其中：

2.根据权利要求1所述的电阻负载反相器件，其特征在于，所述空气沟道的长度大于0纳米、且小于100纳米。

3.根据权利要求1所述的电阻负载反相器件，其特征在于，所述空气沟道的长度大于0纳米、且小于68纳米。

4.根据权利要求1所述的电阻负载反相器件，其特征在于，所述电阻器至少包括电阻层，所述电阻层的材质包括多晶硅。

5.根据权利要求1所述的电阻负载反相器件，其特征在于，所述源极区和所述漏极区的材料相同。

6.根据权利要求1所述的电阻负载...

【技术特征摘要】

1.一种电阻负载反相器件，其特征在于，包括：衬底、以及形成在所述衬底上的晶体管和电阻器，其中：

2.根据权利要求1所述的电阻负载反相器件，其特征在于，所述空气沟道的长度大于0纳米、且小于100纳米。

3.根据权利要求1所述的电阻负载反相器件，其特征在于，所述空气沟道的长度大于0纳米、且小于68纳米。

4.根据权利要求1所述的电阻负载反相器件，其特征在于，所述电阻器至少包括电阻层，所述电阻层的材质包括多晶硅。

5.根据权利要求1所述的电阻负载反相器件，...

【专利技术属性】
技术研发人员：毕津顺，范林杰，王健健，赵碧瑶，韩婷婷，田密，朱伟强，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：