【技术实现步骤摘要】
本申请涉及碳化硅晶圆抛光的，提供一种抛光速率稳定、抛光垫耐受高锰酸根的碳化硅抛光方法。
技术介绍
1、碳化硅在电动汽车、清洁能源、5g通信等高压高温应用中表现出优于传统硅基半导体的性能。碳化硅晶圆的制造从形成单晶碳化硅开始，经过晶圆切片、研磨、抛光，清洗等工序，形成高质量的晶圆衬底，用于外延生长和器件构建。然而，碳化硅晶圆衬底由于其坚硬和惰性的物理化学特性而难以抛光。
2、目前用于碳化硅晶圆抛光的抛光垫来自传统的硅晶圆或芯片抛光。硅的硬度比碳化硅小得多，化学反应性也比碳化硅高得多，因而硅的抛光速率很高(～60um/h)，抛光时间很短；芯片抛光要求很高的平坦化(最小台阶高度)因而需要抛光垫非常坚硬，通常超过邵氏70d的硬度，并且芯片抛光的速率也很高，抛光时间很短。
3、业内普遍认为抛光垫的表面孔隙/粗糙度对抛光速率的提升至关重要，因而各抛光垫生产商采用不同的方法来引入空隙/粗糙度。例如市场上占垄断地位的微球发泡技术(cn1059219c)，聚合物浸渍无纺布技术(us4728552a)，及用超临界二氧化碳引入气孔技术...
【技术保护点】
1.一种抛光碳化硅的方法，该方法使用一种抛光垫和抛光液，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的热塑性聚氨酯抛光垫的邵氏硬度在72D到40D之间。
3.根据权利要求2所述的热塑性聚氨酯抛光垫的邵氏硬度在65D到42D之间。
4.根据权利要求1所述的热塑性聚氨酯抛光垫基本上是实心无孔隙的。
5.根据权利要求1所述的热塑性聚氨酯抛光垫的抛光面的接触区域与非接触区域面积之比约为2。
6.根据权利要求1所述的热塑性聚氨酯抛光垫的抛光面的非接触区域为多条同心圆沟槽。
7.根据权利要求6所述的热塑性聚氨酯抛光垫...
【技术特征摘要】
1.一种抛光碳化硅的方法，该方法使用一种抛光垫和抛光液，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的热塑性聚氨酯抛光垫的邵氏硬度在72d到40d之间。
3.根据权利要求2所述的热塑性聚氨酯抛光垫的邵氏硬度在65d到42d之间。
4.根据权利要求1所述的热塑性聚氨酯抛光垫基本上是实心无孔隙的。
5.根据权利要求1所述的热塑性聚氨酯抛光垫的抛光面的接触区域与非接触区域面积之比约为2。
6.根据权...
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