半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件及其制造方法，属于半导体技术领域，该半导体器件的制造方法，包括以下步骤：提供衬底，在衬底上形成多膜层结构，多膜层结构包括依次层叠的介质层、氮化硅层、氧化硅层、第一保护层和第二保护层；刻蚀多膜层结构及衬底，以形成多个间隔布置的孔；在孔的内壁上依次形成第二侧壁层、第一侧壁层，并在第二侧壁层中填充掺杂的多晶硅，且掺杂的多晶硅的上边缘高于第二保护层的上边缘；去除多余的掺杂的多晶硅，直至去除第二保护层；去除第一保护层。通过设置第一保护层和第二保护层，其中氧化硅层在前序工艺中始终覆盖在氮化硅层上，保证了氮化硅层的厚度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。

技术介绍

1、如图1-图10所示现有的半导体器件的制造方法，衬底100在预先工艺后形成顶部的多层结构，并布置刻蚀出孔，在孔内填充掺杂的多晶硅材料，研磨去除多余的掺杂的多晶硅107及其他膜层，去除顶部氧化硅层104(teos)，再干法刻蚀(hm etch)去除顶部露出的高k介质层105(hfsio3)，再湿法刻蚀去除暴露的氮化钛层106，干法刻蚀去除暴露的填充掺杂的多晶硅107，再次湿法刻蚀去除暴露的氮化钛层106，干法刻蚀去除暴露的高k介质层105，之后继续其他工艺流程。

2、然而，上述工艺流程复杂，生产成本相对较高，且难以控制顶部氮化硅层的厚度，导致氮化硅层较薄，影响后续sti（shallow trench isolation，浅槽隔离）工艺。

3、需要说明的是，公开于该专利技术
技术介绍
部分的信息仅仅旨在加深对本专利技术一般
技术介绍
的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。

技术实现思路...

【技术保护点】

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，刻蚀所述多膜层结构包括：刻蚀所述多膜层结构直至所述衬底，再通过所述多膜层结构继续刻蚀所述衬底至所需深度以形成所述孔。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在去除所述第一保护层后，依次刻蚀去除所述第一侧壁层和第二侧壁层高于所述氧化硅层的部分，再依次刻蚀去除所述孔内的所述掺杂的多晶硅、所述第一侧壁层和第二侧壁层至所需高度。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，刻蚀所述孔内的所述掺杂的多晶硅、所述第一...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，刻蚀所述多膜层结构包括：刻蚀所述多膜层结构直至所述衬底，再通过所述多膜层结构继续刻蚀所述衬底至所需深度以形成所述孔。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在去除所述第一保护层后，依次刻蚀去除所述第一侧壁层和第二侧壁层高于所述氧化硅层的部分，再依次刻蚀去除所述孔内的所述掺杂的多晶硅、所述第一侧壁层和第二侧壁层至所需高度。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，刻蚀所述孔内的所述掺杂的多晶硅、所述第一侧壁层和第二侧壁层至所需高度后，去除所述氧化硅层。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖华，左正笏，张芸，陈彦辛禹，
申请(专利权)人：杭州积海半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：