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本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，属于半导体技术领域，该半导体器件的制造方法，包括以下步骤：提供衬底，在衬底上形成多膜层结构，多膜层结构包括依次层叠的介质层、氮化硅层、氧化硅层、第一保护层和第二保护层；刻蚀多膜层结构及衬底，以形成多个...
该专利属于杭州积海半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州积海半导体有限公司授权不得商用。

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