一种沟槽式MOSFET的制备方法技术

本发明专利技术属于半导体技术领域，公开了一种沟槽式MOSFET的制备方法，具体制备步骤如下：S1在外延层和氮化硅层表面形成多晶硅；S2在氮化硅层两侧壁残留侧壁多晶硅，在外延层上蚀刻出沟槽Ⅰ，生成闸极氧化层；S3在沟槽Ⅰ内填入闸极多晶硅；S4去除侧壁多晶硅和闸极多晶硅，沉积遮避氧化层；S5形成P型阱区Ⅰ和N型阱区；S6沉积介电层；S7在沟槽Ⅱ内离子注入P型阱区Ⅱ；S8沉积金属形成电极。本发明专利技术在保证器件静态特性不受影响的前提下，只需要采用二层光罩就能实现沟槽式MOSFET的制作，不仅大幅降低了MOSFET器件的生产成本，还进一步缩减了MOSFET器件的生产时间，大大提高了工作效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体,特别涉及一种沟槽式mosfet的制备方法。

技术介绍

1、功率金属氧化物半导体场效晶体管（power mosfet）的结构可分为沟槽结构和平面结构，其中沟槽结构因为元胞尺寸(cell pitch)较小，可得到较佳的阻值。而在常规的沟槽式mosfet的制备工艺中，所需光罩层数如不包含钝化层则共有五道，分别为trench、aa、source、contact、metal。而mosfet的生产成本主要取决于光罩层数的多少。目前市面上最常用的是通过省去光罩层aa来减少生产成本，也就是采用四层光罩来完成沟槽式mosfet的器件，但是即使这样，生产成本的节约还是有限的。

技术实现思路

1、为了进一步降低mosfet器件的生产成本，本专利技术提供一种沟槽式mosfet的制备方法，在保证mosfet器件静态特性不受影响的前提下，只需要采用二层光罩就能实现沟槽式mosfet的制作，不仅大幅降低了mosfet器件的生产成本，还进一步缩减了mosfet器件的生产时间，大大提高了工作效率。p>

2、本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种沟槽式MOSFET的制备方法，其特征在于，具体制备步骤如下：

2.根据权利要求1所述的一种沟槽式MOSFET的制备方法，其特征在于，所述S5中，将P型掺杂离子以7°-9°角注入至沟槽Ⅰ（109a）两侧的外延层（100）内，经1000℃-1100℃的高温活化后形成P型阱区Ⅰ（104）。

3.根据权利要求2所述的一种沟槽式MOSFET的制备方法，其特征在于，所述P型掺杂离子为硼离子。

4.根据权利要求1所述的一种沟槽式MOSFET的制备方法，其特征在于，所述S5中，将N型掺杂离子以0°角注入至沟槽Ⅰ（109a）两侧的外延层（100）内，并在900℃...

【技术特征摘要】

1.一种沟槽式mosfet的制备方法，其特征在于，具体制备步骤如下：

2.根据权利要求1所述的一种沟槽式mosfet的制备方法，其特征在于，所述s5中，将p型掺杂离子以7°-9°角注入至沟槽ⅰ（109a）两侧的外延层（100）内，经1000℃-1100℃的高温活化后形成p型阱区ⅰ（104）。

3.根据权利要求2所述的一种沟槽式mosfet的制备方法，其特征在于，所述p型掺杂离子为硼离子。

4.根据权利要求1所述的一种沟槽式mosfet的制备方法，其特征在于，所述s5中，将n型掺杂离子以0°角注入至沟槽ⅰ（109a）两侧的外延层（100）内，并在900℃-950℃条件下进行退火形成n型阱区（...

【专利技术属性】
技术研发人员：李振道，孙明光，朱伟东，
申请(专利权)人：南京融芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：