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本发明属于半导体技术领域，公开了一种沟槽式MOSFET的制备方法，具体制备步骤如下：S1在外延层和氮化硅层表面形成多晶硅；S2在氮化硅层两侧壁残留侧壁多晶硅，在外延层上蚀刻出沟槽Ⅰ，生成闸极氧化层；S3在沟槽Ⅰ内填入闸极多晶硅；S4去除侧壁...
该专利属于南京融芯微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京融芯微电子有限公司授权不得商用。

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