一种改善薄型小塑封器件在封装过程中分层的方法技术

本发明专利技术提出一种改善薄型小塑封器件在封装过程中分层的方法，所述方法将包封完成后冲切流道的引线框架进行后固化，得到固化后的引线框架，所述引线框架上塑封体的四周留有飞边，将频率为40～60KHz的激光垂直作用在所述塑封体的飞边上表面，使所述飞边脱离或所有飞边沿自身厚度方向去除一部分，得到激光处理后的引线框架，根据塑封器件的类型，将激光处理后的引线框架进行电镀、打标和冲切，其中冲切时的气缸气压为0.3～0.5Mpa，得到相应的薄型小塑封器件，有效改善了分层问题，通过激光辅助工艺打薄或完全打透待冲切位置的飞边，降低了冲切飞边过程中产生的作用力，有效改善了薄型小塑封器件的分层问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路封装测试领域，具体涉及一种改善薄型小塑封器件在封装过程中分层的方法。

技术介绍

1、半导体集成电路引线框架类产品一般要进行封装，引线框架包封完成后先冲切流道，然后进行产品后固化，之后根据不同类别的塑封器件对应进行两种不同工艺中的其中一种，得到成品器件，其中一种是依次切筋、电镀、打标，再进行打弯和分离，另一种是依次电镀、打标，再进行切筋、打弯和分离。切筋、打弯(又称成型)和分离均为冲切工艺的一部分，切筋是指切除引线框架外引脚之间的连筋；打弯是将引脚弯曲成一定的角度与形状，以满足装配的要求；分离则是在冲切作业过程中，将已成型的电路引线框架，在分离模具内部通过刀具剪切应力的作用，使得电路与引线框架边框的连筋发生物理断裂，实现电路与引线框架边框的分离。

2、切筋环节会切除sop类塑封器件的塑封体上下两侧(脚间)、lqfp类塑封器件四周的飞边，如果受力不合理，切断飞边时的作用力传递到塑封体内部对内引脚的分层问题产生影响。在产品分离过程中，sop类产品会切除塑封体左右两侧的飞边，如果受力不合理，切断飞边时产生的作用力传递到塑封体本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种改善薄型小塑封器件在封装过程中分层的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的改善薄型小塑封器件在封装过程中分层的方法，其特征在于，S1中，包封完成后冲切流道的引线框架在170～180℃下进行后固化，得到固化后的引线框架。

3.根据权利要求2所述的改善薄型小塑封器件在封装过程中分层的方法，其特征在于，S1中，包封完成后冲切流道的引线框架在170～180℃下后固化7～9h，得到固化后的引线框架。

4.根据权利要求1所述的改善薄型小塑封器件在封装过程中分层的方法，其特征在于，S2中，所述激光的功率为10～20W、速度为600～800...

【技术特征摘要】

1.一种改善薄型小塑封器件在封装过程中分层的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的改善薄型小塑封器件在封装过程中分层的方法，其特征在于，s1中，包封完成后冲切流道的引线框架在170～180℃下进行后固化，得到固化后的引线框架。

3.根据权利要求2所述的改善薄型小塑封器件在封装过程中分层的方法，其特征在于，s1中，包封完成后冲切流道的引线框架在170～180℃下后固化7～9h，得到固化后的引线框架。

4.根据权利要求1所述的改善薄型小塑封器件在封装过程中分层的方法，其特征在于，s2中，所述激光的功率为10～20w、速度为600～800mm/s。

5.根据权利要求1所述的改善薄型小塑封器件在封装过程中分层的方法，其特征在于，s2中，将固化后的引线框架上塑封体的飞边在激光去溢料机上进行处理，得到激光处理后的引线框架。

6.根据权利要求5所述的改善薄型小塑封器件在封装过程中分层的方法，其特征在于，激...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈中洲，达旭娟，冯号，周少明，
申请(专利权)人：郑州兴航科技有限公司，
类型：发明
国别省市：