【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及加工治具的，尤其涉及一种紫外光源组件及紫外光固化设备。
技术介绍
1、诸如氧化硅、碳化硅和掺碳氧化硅薄膜的材料广泛应用于半导体器件制造中。一种在半导体衬底上形成这种含硅薄膜的方法为通过在腔室内进行化学气相沉积(chemicalvapor weposition，cvw)工艺。例如，硅源和氧源之间的化学反应可在cvw腔室内的半导体衬底的顶部上生成固态氧化硅的沉积。水通常为有机硅炕化合物的cvw反应的副产品。因此，水能作为水汽物理性地被吸收进入薄膜中或者作为si-oh键结合进入已沉积的薄膜中。
2、但是，通常晶圆的处理过程中不希望出现任何这种形式的水结合。因而，现有技术中，可以采用紫外固化设备来去除水等会牺牲材料的热不稳定的有机成分。目前的紫外固化设备中的紫外(ultraviolet，uv)光源为细长灯管，灯管中间段的光强与两端的光强有一定的差别，一般在小于10％范围内；为了达到照射需要的光强，采用两根平行放置的灯管，每一灯管分别配上反射镜以反射紫外光线，再照射至晶圆；由于经过反射后中央区域的光强较高，边缘光强较低，...
【技术保护点】
1.一种紫外光源组件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的紫外光源组件，其特征在于，远离间距与灯管中心间距的比值为0.06-0.145；所述远离间距为所述第一灯管或所述第二灯管与对应基础反射镜的焦点之间的间距；所述灯管中心间距为所述第一灯管与所述第二灯管在第三方向上的间距，所述第三方向与所述第一方向及所述第二方向均相互垂直。
3.根据权利要求2所述的紫外光源组件，其特征在于，所述远离间距为10-20mm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的紫外光源组件，其特征在于，所述基础反射镜的中央与灯管相对的位置处设有开口；所述开口处设...
【技术特征摘要】
1.一种紫外光源组件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的紫外光源组件，其特征在于，远离间距与灯管中心间距的比值为0.06-0.145；所述远离间距为所述第一灯管或所述第二灯管与对应基础反射镜的焦点之间的间距；所述灯管中心间距为所述第一灯管与所述第二灯管在第三方向上的间距，所述第三方向与所述第一方向及所述第二方向均相互垂直。
3.根据权利要求2所述的紫外光源组件，其特征在于，所述远离间距为10-20mm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的紫外光源组件，其特征在于，所述基础反射镜的中央与灯管相对的位置处设有开口；所述开口处设有中央反射镜；所述开口及所述中央反射镜均沿所述第二方向延伸。
5.根据权利要求4所述的紫外光源组件，其特征在于，所述开口的截面横向间距与所述基础反射镜的截面横向间距的比值为0.18-0.37；所述中央反射镜的截面横向长度与所述开口的截面横向间距的比...
【专利技术属性】
技术研发人员：张阳，
申请(专利权)人：拓荆创益沈阳半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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