谐振器及其制备方法技术

本申请提供一种谐振器及其制备方法，谐振器包括：衬底；底电极，位于衬底之上；压电层，压电层叠设于底电极之上；压电层远离衬底的表面设有凹陷框架；阻挡层，阻挡层叠设于压电层之上，阻挡层与压电层部分间隔形成气隙区，且气隙区位于凹陷框架的边缘；至少一层分流金属层，分流金属层叠设于阻挡层之上，沿谐振器的厚度方向，凹陷框架以及气隙区的投影轮廓均位于分流金属层的投影轮廓内；及顶电极，顶电极叠设于分流金属层之上；顶电极远离压电层的表面设有凸起框架，凸起框架的投影轮廓位于谐振区的边缘位置。本申请实施例提供的谐振器及其制备方法，可以在频率调节方面提供更大的灵活性，满足不同带宽的需求；还能提高谐振器的品质因数Q值。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及谐振器，尤其涉及谐振器及其制备方法。

技术介绍

1、随着智能设备的日益增多，以及物联网和5g技术的不断普及，对高性能滤波器和多功器的需求越来越大。声学谐振器作为滤波器和多功器的重要组成部分，一直是近年来研究的重点对象。目前主流的声学谐振技术包括表面声波技术saw(surface acousticwave)和体声波技术baw(bulk acoustic wave)。采用saw技术的谐振器由于制造工艺简单，成本低，占据着中低频(2ghz以下)的主流市场。saw谐振器的缺点是品质因子值低，材料的温漂差且与半导体工艺兼容性不佳。这种谐振器组成的滤波器矩形系数差，插入损耗高，中心频率随温度漂移大。更致命的是随着频率的升高，saw谐振器插指电极之间的间距减小，对工艺提出更高要求的同时器件的可靠性变差，这些缺点正在阻碍saw谐振器应用于更高的频段。baw谐振器的出现改善了许多saw谐振器的缺点，并且成熟的半导体工艺对其制造的兼容性良好，但是由于baw谐振器本身的工艺复杂，制造难度高，导致成本居高不下，使其在中高频段很难完全取代saw谐振器，在低频甚至毫无竞争力本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种谐振器，其特征在于，所述谐振器包括：

2.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述顶电极为顶电极层叠结构，所述顶电极层叠结构包括顶电极本体、叠设于所述顶电极本体远离所述压电层的表面上的屏障层，所述凸起框架位于所述屏障层远离所述顶电极本体的表面。

3.根据权利要求2所述的谐振器，其特征在于，所述屏障层包括介电材料，所述介电材料包括AlN、SiO2、SiN、SiC和多晶硅中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述阻挡层的材质包括铝、钼、铂、钨、钌中的一种；或，所述阻挡层的材质包括铝、钼、铂、钨、钌中的至少两者形成的复合金属...

【技术特征摘要】

1.一种谐振器，其特征在于，所述谐振器包括：

2.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述顶电极为顶电极层叠结构，所述顶电极层叠结构包括顶电极本体、叠设于所述顶电极本体远离所述压电层的表面上的屏障层，所述凸起框架位于所述屏障层远离所述顶电极本体的表面。

3.根据权利要求2所述的谐振器，其特征在于，所述屏障层包括介电材料，所述介电材料包括aln、sio2、sin、sic和多晶硅中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述阻挡层的材质包括铝、钼、铂、钨、钌中的一种；或，所述阻挡层的材质包括铝、钼、铂、钨、钌中的至少两者形成的复合金属。

5.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述阻挡层的厚度为1nm～500nm。

6.根据权利要求1～5任一项所述的谐振器，其特征在于，所述谐振器还包括：

7.根据权利要求1～5任一项所述的谐振器，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶雪妮，吕丽英，黎家健，冯东亮，吴珂，
申请(专利权)人：瑞声科技新加坡有限公司，
类型：发明
国别省市：