半导体刻蚀设备和半导体刻蚀方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体刻蚀设备和半导体刻蚀方法，属于半导体制造技术领域。半导体刻蚀设备包括：反应腔室；静电卡盘，设置于反应腔室中，用于承载晶圆；静电卡盘包括至少两个温控区域，至少两个温控区域包括中心区域和至少一个环形区域，中心区域和环形区域的轴心均与静电卡盘的轴心重叠；测温装置，包括至少两个测温器件，分别对应各温控区域设置；测温器件用于检测温控区域的温度；冷却装置，包括至少两个冷却单元，分别对应各温控区域设置；冷却单元通过控制传输至温控区域和晶圆之间的氦气的流量来控制晶圆对应温控区域的部位的温度。本发明专利技术实施例可以针对静电卡盘的不同温控区域分别进行温度控制，从而提升晶圆刻蚀效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体刻蚀设备和半导体刻蚀方法。

技术介绍

1、刻蚀是半导体制造工艺中一种重要的晶圆表面处理方式，是采用物理或化学方法去除晶圆表面材料的过程，用以将曝光显影在光刻胶上的图形转移到晶圆上形成所需设计图案。温度是影响刻蚀效果的重要因素，晶圆不同位置的刻蚀速率不同等原因会导致晶圆不同部位的温度变化不同，例如存在中心和边缘温度不均匀的问题。但目前的半导体刻蚀设备通常采用单区设计，难以满足晶圆不同部位的温控需求，影响晶圆刻蚀效果。

技术实现思路

1、本专利技术提供了一种半导体刻蚀设备和半导体刻蚀方法，以针对静电卡盘的不同温控区域分别进行温度控制，满足晶圆不同部位的温控需求，从而提升晶圆刻蚀效果，提升晶圆良率。

2、第一方面，本专利技术实施例提供了一种半导体刻蚀设备，包括：

3、反应腔室；

4、静电卡盘，设置于所述反应腔室中，用于承载晶圆；所述静电卡盘包括至少两个温控区域；其中，所述至少两个温控区域包括中心区域和至少一个环形区域，所述中心区域的轴心本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体刻蚀设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体刻蚀设备，其特征在于，所述冷却装置还包括：第二阀门，分别连接氦气提供装置和各所述压力控制器的进气端；所述第二阀门用于控制所述氦气提供装置是否向各所述压力控制器提供氦气。

3.根据权利要求1所述的半导体刻蚀设备，其特征在于，针对任一所述温控区域，所述静电卡盘的顶面设置有多个出气孔；同一所述温控区域中的各所述出气孔排列为围绕所述静电卡盘的轴心的至少一个环形，且同一环形中的各所述出气孔均匀排列。

4.根据权利要求1所述的半导体刻蚀设备，其特征在于，还包括：抽真空组件，包括：

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【技术特征摘要】

1.一种半导体刻蚀设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体刻蚀设备，其特征在于，所述冷却装置还包括：第二阀门，分别连接氦气提供装置和各所述压力控制器的进气端；所述第二阀门用于控制所述氦气提供装置是否向各所述压力控制器提供氦气。

3.根据权利要求1所述的半导体刻蚀设备，其特征在于，针对任一所述温控区域，所述静电卡盘的顶面设置有多个出气孔；同一所述温控区域中的各所述出气孔排列为围绕所述静电卡盘的轴心的至少一个环形，且同一环形中的各所述出气孔均匀排列。

4.根据权利要求1所述的半导体刻蚀设备，其特征在于，还包括：抽真空组件，包括：

5.根据权利要求4所述的半导体刻蚀设备，其特征在于，所述抽真空组件还包括：至少两条压力平衡支路，分别对应各所述冷却单元设置；

6.根据权利要求4所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王显亮，孙文彬，
申请(专利权)人：无锡邑文微电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：

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