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本发明公开了一种半导体刻蚀设备和半导体刻蚀方法，属于半导体制造技术领域。半导体刻蚀设备包括：反应腔室；静电卡盘，设置于反应腔室中，用于承载晶圆；静电卡盘包括至少两个温控区域，至少两个温控区域包括中心区域和至少一个环形区域，中心区域和环形区域...
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