【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电能质量扰动发生
,特别是提供了一种可控电流扰动源主电路。
技术介绍
目前市场上的可控电流源主要采用大功率晶体管(BJT)、场效应管(M0S)等半导 体器件构成的线性放大器来完成对设定电流的输出功能,具有控制线性度好,精度高的优 点。但其固有缺陷也非常明显(l)主电路中开关器件工作于线性放大区,功耗大,发热严 重,并且工作点容易受到温漂的影响;(2)由于受器件电压、电流容量的限制,这种类型的 可控电流源难以输出大功率,只能应用于一些小功率场合。 本专利技术提供了一种可控电流扰动源主电路。针对上述小功率线性可控电流源不 能适应电力系统中对扰动电流源在高电压、大电流、大容量方面的要求的实际情况,采用工 作于非线性饱和区与截止区的绝缘栅双极晶体管IGBT作为开关元件构成的可控电流源装 置,能有效解决因半导体开关工作于线性放大区带来的功耗大、成本高、过载能力弱、输出 容量小等问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种可控电流扰动源主电路,解决了功耗大、成本高、过载 能力弱、输出容量小等问题。 本专利技术包括直流电源、高频H桥逆变器、高频电抗器、 ...
【技术保护点】
一种可控电流扰动源主电路,其特征在于:包括直流电源、高频H桥逆变器、高频电抗器、直流电源、基频H桥逆变器、基波电抗器和系统电源;直流电源(1)由电解电容器构成,电解电容器的正极和负极之间并联着高频H桥逆变器(2);高频H桥逆变器(2)由两个IGBT桥臂并联而成,每个IGBT桥臂由两个IGBT串联而成,IGBT的连接点构成高频H桥逆变器(2)的两个输出端点;高频H桥逆变器(2)的一个输出端点连接到高频电抗器(3)的输入端,高频电抗器的输出端连接到系统电源(7)的一个端点A,高频H桥逆变器(2)的另一个输出端连接到基波电抗器(6)的输入端C;直流电源(4)由电解电容器构成,电解 ...
【技术特征摘要】
一种可控电流扰动源主电路,其特征在于包括直流电源、高频H桥逆变器、高频电抗器、直流电源、基频H桥逆变器、基波电抗器和系统电源;直流电源(1)由电解电容器构成,电解电容器的正极和负极之间并联着高频H桥逆变器(2);高频H桥逆变器(2)由两个IGBT桥臂并联而成,每个IGBT桥臂由两个IGBT串联而成,IGBT的连接点构成高频H桥逆变器(2)的两个输出端点;高频H桥逆变器(2)的一个输出端点连接到高频电抗器(3)的输入端,高频电抗器的输出端连接到系统电源(7)的一个端点A,高频H桥逆变器(2)的另一个输出端连接到基波电抗器(6)的输入端C;直流电源(4)由电解电容器构成,电解电容器的正极和负极之间并联着基频H桥逆变器(5);...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘乔,尹忠东,单任仲,肖湘宁,洪秋,戴成昕,孔舒红,
申请(专利权)人:华北电力大学,
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]
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