一种适用于正负双轨电压控制的低功耗使能控制电路制造技术

一种适用于正负双轨电压控制的低功耗使能控制电路，涉及集成电路技术领域，其结构为：使能控制端接第一MOS管漏端，齐纳二极管并联在第一MOS管栅端和源端，第一电流源接第一MOS管栅端，第二MOS管栅端接地电平、源端接第三电流源和第一施密特触发器输入端、漏端接第一MOS管源端，第三MOS管栅端接地电平、源端接第一MOS管源端、漏端接第四MOS管漏端；第四MOS管栅端接地电平、源端接第二电流源和第二施密特触发器输入端，第一施密特触发器输出端接与非门一个输入端，第二施密特触发器输出端通过反相器接与非门另一个输入端，与非门输出端为发送向电路内部的控制信号端。本发明专利技术能够以极低功耗实现负向高压低压差线性稳压器正负双轨电压使能控制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路，特别涉及一种适用于正负双轨电压控制的低功耗使能控制电路。

技术介绍

1、低压差线性稳压器(ldo)由于其外围电路简单，输出电压稳定，噪声较小，在许多电子设备的电源管理系统中使用广泛，由于低压差线性稳压器的前一级一般为电池或dcdc，为了方便在外围控制设备的使能，故大多ldo芯片外部均设有使能引脚，因此需要内部使能电路对外部使能引脚输入信号进行判断，从而控制系统的使能。

2、负向高压ldo广泛应用于高压adc和dac等领域，图1示出一种传统的负向高压ldo电路结构，主要由次电源、参考电压、误差放大器、高压驱动模块、n型mosfet、使能模块、反馈电阻构成，其中n型mosfet为高压mos，高压应用时倚靠高压mosfet的drain端来承受高压，其余模块由次电源模块产生的低压内部次电源vss供电。实际工作时，vin上电，内部次电源模块产生低压次电源vss，使能模块控制参考电压模块、误差放大器、高压驱动模块开始工作。负向高压ldo主要作用是为后级供电，在系统中可能会受到mcu等上位机控制使能，mcu上位机控制信号通常为3.3v本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种适用于正负双轨电压控制的低功耗使能控制电路，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的一种适用于正负双轨电压控制的低功耗使能控制电路，其特征在于：所述第一MOS管(M1)为P型高压MOS管。

3.根据权利要求1所述的一种适用于正负双轨电压控制的低功耗使能控制电路，其特征在于：所述第二MOS管(M2)为N型常压MOS管，第三MOS管(M3)为P型常压MOS管，第四MOS管(M4)为N型常压MOS管。

4.根据权利要求1所述的一种适用于正负双轨电压控制的低功耗使能控制电路，其特征在于：所述使能控制端(EN)的输入电压可分别为正压、负压、中间电压。...

【技术特征摘要】

1.一种适用于正负双轨电压控制的低功耗使能控制电路，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的一种适用于正负双轨电压控制的低功耗使能控制电路，其特征在于：所述第一mos管(m1)为p型高压mos管。

3.根据权利要求1所述的一种适用于正负双轨电压控制的低功耗使能控制电路，其特征在于：所述第二mos管(m2)为n型常压mos管，第三mos管(m3)为p型常压mo...

【专利技术属性】
技术研发人员：李航，冯浪，陈俊飞，王策，丛伟林，谢休华，李淋静，常俊昌，
申请(专利权)人：成都华微电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：