平板探测器及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种平板探测器及其制作方法，平板探测器包括基板、缓冲层和功能层，缓冲层设置在基板上，功能层设置在缓冲层上，功能层包括位于同层且间隔设置的驱动部、信号读取部和转换结构，驱动部、信号读取部和转换结构的掺杂层均通过离子注入而形成，降低了平板探测器的成本。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及显示，具体涉及一种平板探测器及其制作方法。

技术介绍

1、目前，数字成像技术正逐步取代传统的x光模拟成像技术，广泛应用在医疗影像诊断和工业无损探测等领域，常见的间接转换方法需要将x射线转换为可见光的闪烁器，将光转换为电变化的光电二极管，以及读取电荷的薄膜晶体管（thin film transistor，tft）来创建图像，平板探测器通常由tft和p型-i型-n型光电二极管（positive intrinsicnegative diode，pin diode）组成最小单元，再由多个最小单元组成阵列从而形成平板探测器。

2、现有技术中，tft需要执行镀膜制程和离子注入制程，pin光电二极管需要执行镀膜制程，平板探测器的制作成本高。

技术实现思路

1、鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的是提供一种平板探测器及其制作方法，解决平板探测器的成本高的问题。

2、为实现本申请的目的，本申请提供了如下的技术方案：

3、一种平板探测器，包括基板、缓冲层和功能层，所述缓冲层设置在所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种平板探测器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，所述功能层的厚度为Anm，满足：100nm≤A≤500nm。

3.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，所述转换结构包括相连接的P区、本征区和N区，所述P区和所述N区设置于所述本征区相背的两端，所述P区、所述本征区和所述N区设置在同一层且均与所述缓冲层连接，所述N区与所述信号读取部电连接。

4.根据权利要求3所述的平板探测器，其特征在于，所述平板探测器还包括：

5.根据权利要求4所述的平板探测器，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层开设有第一...

【技术特征摘要】

1.一种平板探测器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，所述功能层的厚度为anm，满足：100nm≤a≤500nm。

3.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，所述转换结构包括相连接的p区、本征区和n区，所述p区和所述n区设置于所述本征区相背的两端，所述p区、所述本征区和所述n区设置在同一层且均与所述缓冲层连接，所述n区与所述信号读取部电连接。

4.根据权利要求3所述的平板探测器，其特征在于，所述平板探测器还包括：

5.根据权利要求4所述的平板探测器，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层开设有第一过孔，所述第一金属层包括第一金属结构，所述第一金属结构通过所述第一过孔与所述驱动部电连接。

6.根据权利要求4所述的平板探测器，其特征在于，所述第一金属层还包括间隔设置的第二金属结构和第...

【专利技术属性】
技术研发人员：张合静，卓恩宗，许哲豪，袁海江，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：