一种介质滤波器表面金属化涂层的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种介质滤波器表面金属化涂层的制备方法，包括以下步骤：沉积过程：采用高功率磁控溅射技术在介质陶瓷基体表面沉积金属层，首先，通过调节高功率磁控溅射技术的频率和脉宽将峰值电流增大，获得高密度的等离子，之后，降低介质陶瓷基体的旋转速度，在介质陶瓷基体后方增加辅助阴极，增加等离子体运动的方向性，以获得不同倾角的柱状晶。本发明专利技术的有益效果是：此方法仅需在介质陶瓷表面沉积一层Cu金属层即可，减少介质陶瓷表面金属化的制程，大大降低了生产成本，并且，不需要在制备过程中通入还原性气体，制备工艺较简单。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及陶瓷表面金属化涂层，尤其涉及一种介质滤波器表面金属化涂层的制备方法。

技术介绍

1、陶瓷材料(包括盐类陶瓷、碳化硅等)在应用场景中，经常需要进行焊接、刻蚀线路或者实现屏蔽等等，但是,陶瓷材料与金属焊接往往存在诸多难点：

2、1.大多数陶瓷类材料与金属层的结合难度较大，且热膨胀系数差异较大，极易导致分离、起泡、产生裂纹等问题。

3、2.氮化铝、碳化硅、金刚石等高热导材料，当下在发热器件与冷却单元之间最佳连接方式是焊接，如金锡焊接；焊接温度较高，在高低温冲击下，不同热膨胀系数的材料界面极易产生分离，造成失效及热传递失效；

4、3.大部分陶瓷导电性差，甚至不导电，很难用电焊的方法。

5、4.由于陶瓷材料多为共价晶体，不易产生变形，经常发生脆性断裂。目前大多利用中间层降低焊接温度，间接扩散法进行焊接。

6、5.陶瓷与金属焊接的结构设计与普通焊接有所区别，通常分为平封结构、套封结构、针封结构和对封结构，其中套封结构效果最好，这些接头结构制作要求都很高。

7、因此,需要对陶瓷材料进行本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种介质滤波器表面金属化涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的介质滤波器表面金属化涂层的制备方法，其特征在于：在沉积过程中，保持介质陶瓷基体与靶材的角度为20°至30°。

3.根据权利要求1所述的介质滤波器表面金属化涂层的制备方法，其特征在于：在沉积过程中，将介质陶瓷基体置于氩气环境，在介质陶瓷基体后方放置一块金属板作为辅助阴极，该辅助阴极的大小大于介质陶瓷基体，使介质陶瓷基体无法完全挡住靶材与辅助阴极。

4.根据权利要求3所述的介质滤波器表面金属化涂层的制备方法，其特征在于：所述辅助阴极设置负偏压，大小为200～50...

【技术特征摘要】

1.一种介质滤波器表面金属化涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的介质滤波器表面金属化涂层的制备方法，其特征在于：在沉积过程中，保持介质陶瓷基体与靶材的角度为20°至30°。

3.根据权利要求1所述的介质滤波器表面金属化涂层的制备方法，其特征在于：在沉积过程中，将介质陶瓷基体置于氩气环境，在介质陶瓷基体后方放置一块金属板作为辅助阴极，该辅助阴极的大小大于介质陶瓷基体，使介质陶瓷基体无法完全挡住靶材与辅助阴极。

4.根据权利要求3所述的介质滤波器表面金属化涂层的制备方法，其特征在于：所述辅助阴极设置负偏压，大小为200～500v，炉内真空度为0.05～0.3pa，介质陶瓷基体施加脉冲偏压为50～200v、占空比为40～90％的条件下，开启靶材，调整hipims电源，频率为300hz，脉宽为100μs，在介质陶瓷基体表面沉积cu层。

5.根据权利要求1所述的介质滤波器表面金属化涂层的制备方法，其特征在于：在沉积过程之前，先进行活化介质陶瓷基体。

6.根据权利要求5所述的介质滤波器表面金属化涂层的制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘向力，柏贺达，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学深圳哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院，
类型：发明
国别省市：