由AgAuS系多元化合物构成的半导体纳米粒子制造技术

本发明专利技术涉及由含有Ag、Au、S及金属M作为必要构成元素的化合物构成的半导体纳米粒子。在本发明专利技术中，所述金属M为Al、Ga、In、Tl、Zn、Cd、Hg、Cu中的至少任一者，所述化合物的Ag、Au、S及金属M的合计含量为95质量％以上。另外，AgAuS系多元化合物中的Ag的原子数相对于Ag的原子数x和Au的原子数y的合计之比(x/(x+y))优选为0.50以上0.88以下。本发明专利技术的半导体纳米粒子具有适当的发光/吸光特性，并且具有生物体亲和性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及由agaus系多元化合物构成的半导体纳米粒子。具体而言，涉及由ag、au、s及金属m构成的agaus系多元化合物即具有新型构成的化合物构成的半导体纳米粒子。

技术介绍

1、半导体通过成为纳米量级的微小粒子而表现出量子限制效应，显示出与粒径对应的带隙。因此，通过控制半导体纳米粒子的组成和粒径来调节带隙，可以任意地设定发光波长或吸收波长。利用了该特性的半导体纳米粒子也被称为量子点(qd：quantum dot)，其在各种
中的活用备受期待。

2、例如，正在研究半导体纳米粒子对在显示装置或生物体关联物质检测用标记物质等中利用的发光元件、荧光物质的响应。如上所述，半导体纳米粒子除了能够通过粒径控制来自由地控制发光波长以外，半导体纳米粒子的发光峰宽度与有机色素相比足够窄，在激发光照射下也比有机色素稳定。由此，可以期待应用于发光元件等。

3、另外，半导体纳米粒子也被期待用于搭载在太阳能电池或光传感器等上的光电转换元件或光接收元件。除了能够通过粒径来控制吸收波长以外，还具有以下特性：具有高量子效率、吸光系数高。通过该特性，半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体纳米粒子，其是由含有Ag、Au、S及金属M作为必要构成元素的化合物构成的半导体纳米粒子，

2.根据权利要求1所述的半导体纳米粒子，其中，

3.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体纳米粒子，其中，

4.根据权利要求1至权利要求3中任一项所述的半导体纳米粒子，其中，

5.根据权利要求1至权利要求4中任一项所述的半导体纳米粒子，其中，

6.根据权利要求1至权利要求4中任一项所述的半导体纳米粒子，其中，

7.根据权利要求1至权利要求6中任一项所述的半导体纳米粒子，其中，

8.根据权利要求1至权利要...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体纳米粒子，其是由含有ag、au、s及金属m作为必要构成元素的化合物构成的半导体纳米粒子，

2.根据权利要求1所述的半导体纳米粒子，其中，

3.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体纳米粒子，其中，

4.根据权利要求1至权利要求3中任一项所述的半导体纳米粒子，其中，

5.根据权利要求1至权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：鸟本司，龟山达矢，长谷川万里子，宫前千惠，佐藤弘规，大岛优辅，菊池翔二郎，
申请(专利权)人：国立大学法人东海国立大学机构，
类型：发明
国别省市：