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本发明涉及由含有Ag、Au、S及金属M作为必要构成元素的化合物构成的半导体纳米粒子。在本发明中，所述金属M为Al、Ga、In、Tl、Zn、Cd、Hg、Cu中的至少任一者，所述化合物的Ag、Au、S及金属M的合计含量为95质量％以上。另外，A...
该专利属于国立大学法人东海国立大学机构所有，仅供学习研究参考，未经过国立大学法人东海国立大学机构授权不得商用。

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