【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及微机电，具体涉及一种mems压电谐振器。
技术介绍
1、微机电系统(mems，micro-electro-mechanical system)是一种基于微电子技术和微加工技术的一种高科技领域。mems技术可将机械构件、驱动部件、电控系统、数字处理系统等集成为一个整体的微型单元。mems器件具有微小、智能、可执行、可集成、工艺兼容性好、成本低等诸多优点。mems技术的发展开辟了一个全新的
和产业，利用mems技术制作的微传感器、微执行器、微型构件、微机械光学器件、真空微电子器件、电力电子器件等在航空、航天、汽车、生物医学、环境监控、军事，物联网等领域中都有着十分广阔的应用前景。
2、q值(品质因子)较低一直是mems压电谐振器待解决的问题之一。对于用作低抖动产品的mems压电谐振器，在相同馈通电容的条件下，高q值意味着在通过负载电容调节频率的时候，负载电容对于频率调节具有较高的分辨率。同时，更高的q值还带来更低的阻抗、更优秀的低频噪声性能。因此，对于mems压电谐振器，提升q值对于提升mems压电谐振器的性能十分重要。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种mems压电谐振器，可以提高mems压电谐振器的q值。
2、本申请实施例提供了一种mems压电谐振器，包括：
3、衬底，所述衬底具有第一空腔；
4、器件层，所述器件层设置于所述衬底上，所述器件层包括耦合结构、能量传递结构、连接杆、至少一对锚点和至少一对谐振体，
5、在本申请实施例提供的mems压电谐振器中，还包括：
6、第一沟道，所述第一沟道设置于所述耦合结构靠近所述能量传递结构的一侧。
7、在本申请实施例提供的mems压电谐振器中，还包括：
8、第二沟道，所述第二沟道设置于所述连接杆内，且所述第二沟道连接所述锚点和所述耦合结构的中空部。
9、在本申请实施例提供的mems压电谐振器中，所述耦合结构与所述连接杆的连接处设置有声子晶体。
10、在本申请实施例提供的mems压电谐振器中，还包括：
11、第一绝缘层，所述第一绝缘层设置于所述衬底和所述器件层之间。
12、在本申请实施例提供的mems压电谐振器中，所述器件层包括两对所述锚点和两对所述谐振体，每两个所述谐振体之间设置有一个所述锚点。
13、在本申请实施例提供的mems压电谐振器中，所述谐振体的应力集中点上设置有通孔。
14、在本申请实施例提供的mems压电谐振器中，所述谐振体为方形结构，所述谐振体的四个边角上设置有局部质量块。
15、在本申请实施例提供的mems压电谐振器中，所述谐振体以se模态进行振动，所述能量传递结构以lame模态进行振动。
16、在本申请实施例提供的mems压电谐振器中，还包括：
17、压电层，所述压电层设置于所述器件层上；
18、电极层，所述电极层设置于所述压电层上。
19、综上所述，本申请实施例提供的mems压电谐振器包括衬底和器件层。其中，所述衬底具有第一空腔；所述器件层设置于所述衬底上，所述器件层包括耦合结构、能量传递结构、连接杆、至少一对锚点和至少一对谐振体，所述谐振体通过所述能量传递结构与所述耦合结构连接，所述锚点通过所述连接杆与所述耦合结构连接，每对所述锚点关于所述耦合结构对称设置，每对所述谐振体关于所述耦合结构对称设置，所述耦合结构为中空环状结构。本方案通过将耦合结构中心挖空以呈中空环状结构，为能量传递制定路径，使能量可以沿着环状耦合结构传输，减少能量的损失，进而提升mems压电谐振器的q值。
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1.一种MEMS压电谐振器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的MEMS压电谐振器，其特征在于，还包括：
3.如权利要求1所述的MEMS压电谐振器，其特征在于，还包括：
4.如权利要求1所述的MEMS压电谐振器，其特征在于，所述耦合结构与所述连接杆的连接处设置有声子晶体。
5.如权利要求1所述的MEMS压电谐振器，其特征在于，还包括：
6.如权利要求1-5任一项所述的MEMS压电谐振器，其特征在于，所述器件层包括两对所述锚点和两对所述谐振体，每两个所述谐振体之间设置有一个所述锚点。
7.如权利要求1-5任一项所述的MEMS压电谐振器，其特征在于，所述谐振体的应力集中点上设置有通孔。
8.如权利要求1-5任一项所述的MEMS压电谐振器，其特征在于，所述谐振体为方形结构，所述谐振体的四个边角上设置有局部质量块。
9.如权利要求1-5任一项所述的MEMS压电谐振器，其特征在于，所述谐振体以SE模态进行振动，所述能量传递结构以Lame模态进行振动。
10.如权利要求1-5任一
...【技术特征摘要】
1.一种mems压电谐振器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的mems压电谐振器，其特征在于，还包括：
3.如权利要求1所述的mems压电谐振器，其特征在于，还包括：
4.如权利要求1所述的mems压电谐振器，其特征在于，所述耦合结构与所述连接杆的连接处设置有声子晶体。
5.如权利要求1所述的mems压电谐振器，其特征在于，还包括：
6.如权利要求1-5任一项所述的mems压电谐振器，其特征在于，所述器件层包括两对所述锚点和两对所述谐振体，每两个所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱怀远，焦点，朱雁青，李明，林友玲，朱彩伟，郭姝，
申请(专利权)人：麦斯塔微电子深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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