功率半导体器件的封装体制造技术

本技术涉及一种功率半导体器件的封装体，包括：功率半导体芯片，集成有传感器；塑封体，覆盖各功率半导体芯片；至少两根传感器引脚，部分传感器引脚从塑封体的第一侧穿入塑封体以电性连接传感器，部分传感器引脚从塑封体的第二侧穿入塑封体以电性连接传感器；至少两根功率引脚，与功率半导体芯片电性连接；至少两根控制引脚，与功率半导体芯片电性连接；其中，每根传感器引脚在穿入塑封体的位置与同电位且位于塑封体的同一侧的一根功率引脚、或同电位且位于塑封体的同一侧的一根控制引脚相邻设置。本技术传感器引脚与同电位的功率引脚或控制引脚相邻设置，同电位的引脚间距可以设置得较小从而为其他引脚留出空间，方便满足爬电距离及布线。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及电力电子，特别是涉及一种功率半导体器件的封装体。

技术介绍

1、功率半导体器件模块能够将各种类型的功率半导体器件、传感器以及驱动电路集成。其中功率半导体器件可以是功率二极管、功率mosfet、igbt等。传感器可以是温度传感器、电流传感器等。由于能量密度集成度高，绝缘安全性高，电力电子的电路拓扑能够极大简化，功率半导体模块在越来越多的市场中得到了广泛的应用。随着新能源汽车的快速普及，对于散热要求更高、内部寄生电感要求更低、体积要求更加严苛、可靠性要求更高的车用功率半导体器件模块的需求也更加旺盛。由于功率密度高，监测模块内的功率半导体器件的温度对于功率半导体器件模块的长效、稳定、可靠地工作至关重要。一种示例性的方式是在功率半导体器件模块内部集成一个负温度系数(negative temperaturecoefficient，ntc)热敏电阻，通过测量热敏电阻两端的电压来获得模块内部的温度。

2、然而，ntc热敏电阻通常与功率半导体器件模块内部的功率半导体器件分立设置，其反映的温度与功率半导体器件温度仍有一定差异。>

<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种功率半导体器件的封装体，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件的封装体，其特征在于，各所述功率引脚从所述第一侧穿入所述塑封体，各所述控制引脚从所述第二侧穿入所述塑封体。

3.根据权利要求2所述的功率半导体器件的封装体，其特征在于，相邻的功率引脚之间的间距大于所述第一侧的边长的1/6、小于所述第一侧的边长的1/3。

4.根据权利要求2所述的功率半导体器件的封装体，其特征在于，所述功率半导体芯片的数量为至少两个。

5.根据权利要求4所述的功率半导体器件的封装体，其特征在于，还包括导电基板，所述功率半导体芯片包括第一芯...

【技术特征摘要】

1.一种功率半导体器件的封装体，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件的封装体，其特征在于，各所述功率引脚从所述第一侧穿入所述塑封体，各所述控制引脚从所述第二侧穿入所述塑封体。

3.根据权利要求2所述的功率半导体器件的封装体，其特征在于，相邻的功率引脚之间的间距大于所述第一侧的边长的1/6、小于所述第一侧的边长的1/3。

4.根据权利要求2所述的功率半导体器件的封装体，其特征在于，所述功率半导体芯片的数量为至少两个。

5.根据权利要求4所述的功率半导体器件的封装体，其特征在于，还包括导电基板，所述功率半导体芯片包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片的第一主面包括源极、第二主面包括漏极，第二芯片的第一主面包括源极、第二主面包括漏极，所述封装体的功率引脚包括第一功率引脚、第二功率引脚、第三功率引脚，所述导电基板包括：

6.根据权利要求5所述的功率半导体器件的封装体，其特征在于，所述封装体的传感器引脚包括第一芯片传感脚一和第二芯片传感脚一，所述第一芯片传感脚一通过电性连接所述第一基岛从而接至所述第一芯片的传感器，所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：李平，马荣耀，王代利，邵志峰，潘效飞，
申请(专利权)人：华润微电子重庆有限公司，
类型：新型
国别省市：