【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制备，尤其涉及一种碳化硅结构及其制备方法。
技术介绍
1、碳化硅作为重要的第三代半导体材料，具有宽带隙、高临界电场、高热导率、高载流饱和漂移速度等特点，在半导体照明、新一代移动通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电领域拥有广阔的应用前景，是支撑信息、能源、交通、国防等产业发展的重点新材料。实际应用中，可以通过热碳还原法、反应烧结法、溶胶-凝胶法、气相法等方式制备获得。
2、然而，利用相关技术制备得到的碳化硅可能存在因其纯度低导致硬度差、使用寿命短等问题。因此，提高碳化硅的纯度成为当前亟需解决的问题。
技术实现思路
1、为解决上述问题中的一个或多个，本公开实施例提出一种碳化硅结构及其制备方法。其中，碳化硅结构的制备方法包括：先后执行第一操作和第二操作，以形成碳化硅层；所述碳化硅层中的不同部位存在颜色变化；所述第一操作包括：向反应腔室内通入载气气体以及含碳元素和硅元素的反应气体；所述第二操作包括：至少停止所述反应气体的通入，并向所述反应腔室内通入清洁气体...
【技术保护点】
1.一种碳化硅结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：先后执行第一操作和第二操作，以形成碳化硅层；所述碳化硅层中的不同部位存在颜色变化；
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第二操作中，所述反应腔室内的处理温度逐步降低。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述第二操作中，所述反应腔室内的处理温度处于1200℃-1300℃。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少停止所述反应气体的通入，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，当保持所述载气气体的通入，且所述载气气体与所述清...
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：先后执行第一操作和第二操作，以形成碳化硅层；所述碳化硅层中的不同部位存在颜色变化；
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第二操作中，所述反应腔室内的处理温度逐步降低。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述第二操作中，所述反应腔室内的处理温度处于1200℃-1300℃。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少停止所述反应气体的通入，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，当保持所述载气气体的通入，且所述载气气体与所述清洁气体为相同气体时，所述清洁气体的气流量大于等于0。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，当停止所述反应气体和所述载气气体的通入时，所述清洁气体的气流量小于所述第一操作中所述载气气体的气流量。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述载气气体包括氢气；所述反应气体包括三氯甲基硅烷；所述清洁气体包括氯气和/或氢气。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，执行多次循环操作，以形成具有堆...
【专利技术属性】
技术研发人员：张珉硕，
申请(专利权)人：重庆欣晖材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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