小分子组合物、光刻胶组合物及在基板上形成图案的方法技术

本申请公开了小分子组合物、光刻胶组合物及在基板上形成图案的方法，所述小分子组合物包括：式1化合物，结构如下：式2化合物，结构如下：式3化合物，结构如下：本申请公开了所述小分子组合物可应用于制备光刻胶或制备光刻胶组合物，所述光刻胶组合物在具有特定比例的式1化合物、式2化合物、式3化合物时，其制备的膜曝光后可显示出良好的图案外形，具有清晰的线条，较低的线宽粗糙度，以及良好的曝光性能；同时此光刻胶组合物具有合适的热性能(Tg)、优异的附着力以及膜平坦化程度优异。此外，本申请还公开了所述光刻胶组合物在基板上形成图案的方法。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于半导体制备，具体涉及一种小分子光刻胶组合物及其制备和应用。

技术介绍

1、在半导体技术的核心领域，集成电路的图形转换主要依赖于光刻技术。随着科技的不断进步，光刻技术的光源波长已经经历了显著的变化，从436nm的g线、365nm的i线、248nm的krf线，到193nm的arf线，直至最新的极紫外光源13.5nm的euv。这一转变不仅展现了技术的飞跃，也揭示了对于更精细工艺的无尽追求。

2、光刻胶，作为光刻过程中的关键媒介，其性能对集成电路的制造具有决定性影响。分辨率、灵敏度和线宽粗糙度是衡量光刻胶质量的三大核心指标。它们直接关系到集成电路图形的精确度以及制造工艺的优化程度。因此，提升这三个关键指标成为了改善光刻胶性能的重中之重。

3、传统的光刻胶主要以聚合物为基础材料。然而，由于聚合物分子量大、分子链较长，在光刻过程中容易出现聚合物链间的缠结，进而导致基体产生内应力与溶胀效应，最终使得光刻图案的线边缘粗糙度增加。

4、为了解决这一问题，小分子化合物逐渐受到关注并在光刻胶领域得到应用。这些小分子化合物，又被称为分本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种小分子组合物，其特征在于，所述小分子组合物包括下述组分：

2.根据权利要求1所述小分子组合物，其特征在于，所述式3化合物中的M为金属元素或类金属元素，并优选为选自铝(Al)、镁(Mg)、钙(Ca)、银(Ag)、铜(Cu)、锌(Zn)、钛(Ti)、钒(V)、铬(Cr)、锰(Mn)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、镓(Ga)、锗(Ge)、锆(Zr)、铌(Nb)、钼(Mo)、钌(Ru)、铑(Rh)、钯(Pd)、铟(In)、锡(Sn)、锑(Sb)、钽(Ta)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)、镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu...

【技术特征摘要】

1.一种小分子组合物，其特征在于，所述小分子组合物包括下述组分：

2.根据权利要求1所述小分子组合物，其特征在于，所述式3化合物中的m为金属元素或类金属元素，并优选为选自铝(al)、镁(mg)、钙(ca)、银(ag)、铜(cu)、锌(zn)、钛(ti)、钒(v)、铬(cr)、锰(mn)、铁(fe)、钴(co)、镍(ni)、镓(ga)、锗(ge)、锆(zr)、铌(nb)、钼(mo)、钌(ru)、铑(rh)、钯(pd)、铟(in)、锡(sn)、锑(sb)、钽(ta)、钨(w)、铱(ir)、铂(pt)、镧(la)、铈(ce)、镨(pr)、钕(nd)、钷(pm)、钐(sm)、铕(eu)、钆(gd)、铽(tb)、镝(dy)、钬(ho)、铒(er)、铥(tm)、镱(yb)、镥(lu)、钇(y)和钪(sc)中的一种或更多种；更优选地，所述m为sn、sb、te、ti、zr、zn、hf中的一种或更多种；更优选地，所述m为zr或hf。

3.根据权利要求1所述的小分子组合，其特征在于，所述l1为式8所示结构，式8如下所示：

4.根据权利要求1所述小分子组合物，其特征在于，所述式3化合物选自以下化合物：

5.根据权利要求1所述小分子组合物，其特征在于，r1选自单键、氧原子、卤素原子(如f、cl、br、i)、羟基、碳原子数1-12的烷基(如-ch3、-ch2-ch3、-ch2-ch2-ch3、-ch2-ch(ch3)-ch3)、碳原子数5-12的脂环式烷基(如环戊烷基、环己基)、碳原子数...

【专利技术属性】
技术研发人员：金光男，
申请(专利权)人：连云港邃铸科技有限公司，
类型：发明
国别省市：