一种组合物及制备方法和应用技术

本申请提供了一种组合物及制备方法和应用。所述组合物包括化合物A和聚合物B，所述化合物A的结构如式I所示：所述M为金属元素或类金属元素，X为含有碳碳双键的基团，Y为不含有碳碳双键的基团，a为1‑8的整数，b为0‑8的整数；所述聚合物B的结构如式II所示：R1、R2、R3、R4为任意原子或有机基团，n为聚合物的聚合度。所述组合物可应用于EUV光刻胶组合物，通过式I结构的化合物A和式II结构的聚合物B的结合，光刻胶的光吸收能力和抗刻蚀能力得到提高。通过EUV光刻胶组合物制备得到的极薄树脂膜的刻蚀耐受性大大增加，树脂膜在刻蚀之后的膜厚变化率在5％以下，线宽粗糙度小于3nm。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种组合物及其制备方法和应用，尤其涉及一种极紫外光(euv)的光刻胶、及其制备方法和应用。

技术介绍

1、近年来光刻胶得到了飞速的发展，从最初的聚乙烯醇肉桂酸酯、环化橡胶－叠氮化合物，发展为当前用于i线(365nm)和g线(436nm)的酚醛树脂－重氮萘醌类光刻胶、以及用于krf(248nm)和arf(193nm)的化学放大类光刻胶，促进了集成电路尺寸的不断缩小和半导体性能的持续集成。与此同时，手机、电脑、照相机等电子产品一直朝着体型“轻、薄、短、小”并且多种功能集成的方向发展，对体积更小和集成度更高的芯片有了更迫切的需求。

2、芯片制造商当前使用的arf(193nm)光刻系统已经无法满足7和5nm光刻节点的需求，许多芯片制造商正在寻找其他实现方法。euv(extreme ultraviolet，极紫外)光刻技术已经成为主流选择，它可以提供更短的曝光波长和更高的分辨率。euv光刻技术使用极紫外光线作为光源，其波长仅为13.5nm，比目前光刻所用的光源波长都要短，不仅可以满足7nm和5nm节点的曝光需求；与arf光刻胶相比，euv光本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种组合物，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述化合物A的M为金属元素或类金属元素，选自铝(Al)、镁(Mg)、钙(Ca)、银(Ag)、铜(Cu)、锌(Zn)、钛(Ti)、钒(V)、铬(Cr)、锰(Mn)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、镓(Ga)、锗(Ge)、锆(Zr)、铌(Nb)、钼(Mo)、钌(Ru)、铑(Rh)、钯(Pd)、铟(In)、锡(Sn)、锑(Sb)、钽(Ta)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)、镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(H...

【技术特征摘要】

1.一种组合物，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述化合物a的m为金属元素或类金属元素，选自铝(al)、镁(mg)、钙(ca)、银(ag)、铜(cu)、锌(zn)、钛(ti)、钒(v)、铬(cr)、锰(mn)、铁(fe)、钴(co)、镍(ni)、镓(ga)、锗(ge)、锆(zr)、铌(nb)、钼(mo)、钌(ru)、铑(rh)、钯(pd)、铟(in)、锡(sn)、锑(sb)、钽(ta)、钨(w)、铱(ir)、铂(pt)、镧(la)、铈(ce)、镨(pr)、钕(nd)、钷(pm)、钐(sm)、铕(eu)、钆(gd)、铽(tb)、镝(dy)、钬(ho)、铒(er)、铥(tm)、镱(yb)、镥(lu)、钇(y)、钪(sc)中的一种或更多种；

3.根据权利要求1所述组合物，其特征在于，所述化合物a的x，其结构如式iii所示：

4.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，y选自c1-c16的烃基，更优选为c1-c12的烃基，更优选为c1-c10的烃基，更优选为c1-c8的烃基，更优选为c1-c6的烃基，更优选为c1-c4的烃基；

5.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述化合物a选自以下结构：

6.根据权利要求1所述组合物，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：金光男，
申请(专利权)人：连云港邃铸科技有限公司，
类型：发明
国别省市：