【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更具体来说，涉及将数据重定位到低时延存储器。
技术介绍
1、存储器子系统可以是存储系统，如固态驱动器(ssd)或硬盘驱动器(hdd)。存储器子系统可以是存储器模块，例如双列直插式存储器模块(dual in-line memory module；dimm)、小型dimm(small outline dimm；so-dimm)或非易失性双列直插式存储器模块(non-volatiledual in-line memory module；nvdimm)。存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器组件。存储器组件可以例如是非易失性存储器组件和易失性存储器组件。一般来说，主机系统可以利用存储器子系统以在存储器组件处存储数据且从存储器组件检索数据。
技术实现思路
1、一方面而言，本公开提供了一种方法，其包括：识别存储器组件的第一部分处的多个字线；确定所述多个字线中的每一个的对应错误率；确定所述多个字线中的第一字线的第一错误率和所述多个字线中的第二字线的第二错误率满足关于错误率阈值的第一阈值条件；识别所述多个字线中接近所述第一字线和所述第二字线的第三字线；以及由处理装置将存储于所述第三字线处的数据重定位到所述存储器组件的第二部分，其中所述存储器组件的所述第二部分与比所述存储器组件的所述第一部分低的读取时延相关联。
2、另一方面而言，本公开提供了一种用于存储器操作的系统，其包括：存储器组件；以及处理装置，其可操作地与所述存储器组件耦合以执行包括以下
3、另一方面而言，本公开提供了一种非暂时性计算机可读存储介质，其包括指令，所述指令在由处理装置执行时使所述处理装置执行包括以下各者的操作：识别存储器组件的第一部分处的多个字线；确定所述多个字线中的每一个的对应错误率；确定所述多个字线中的第一字线的第一错误率和所述多个字线中的第二字线的第二错误率满足关于错误率阈值的第一阈值条件；识别所述多个字线中接近所述第一字线和所述第二字线的第三字线；以及由处理装置将存储于所述第三字线处的数据重定位到所述存储器组件的第二部分，其中所述存储器组件的所述第二部分与比所述存储器组件的所述第一部分低的读取时延相关联。
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1.一种方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中满足所述第一阈值条件的所述第一字线的所述第一错误率和所述第二字线的所述第二错误率指示与对所述第三字线执行的读取操作相关联的读取干扰应力。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一阈值条件是基于所述第一错误率和所述第二错误率相对于所述多个字线的代表性错误率的偏离。
4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器组件的所述第一部分包括一或多个四电平单元QLC，且所述存储器组件的所述第二部分包括一或多个单电平单元SLC。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器组件包括与非NAND型快闪存储器。
8.一种用于存储器操作的系统，其包括：
9.根据权利要求8所述的系统，其中满足所述第一阈值条件的所述第一字线的所述第一错误率和所述第二字线的所述第二错误率指示与对所述第三字线执行的读取操作相关联的读取干扰应力。
10.根据权利要求8所述
11.根据权利要求8所述的系统，其中所述处理装置执行进一步包括以下各者的操作：
12.根据权利要求8所述的系统，其中所述处理装置执行进一步包括以下各者的操作：
13.根据权利要求8所述的系统，其中所述存储器组件的所述第一部分包括一或多个四电平单元QLC，且所述存储器组件的所述第二部分包括一或多个单电平单元SLC。
14.根据权利要求8所述的系统，其中所述存储器组件包括与非NAND型快闪存储器。
15.一种非暂时性计算机可读存储介质，其包括指令，所述指令在由处理装置执行时使所述处理装置执行包括以下各者的操作：
16.根据权利要求15所述的非暂时性计算机可读存储介质，其中满足所述第一阈值条件的所述第一字线的所述第一错误率和所述第二字线的所述第二错误率指示与对所述第三字线执行的读取操作相关联的读取干扰应力。
17.根据权利要求15所述的非暂时性计算机可读存储介质，其中所述第一阈值条件是基于所述第一错误率和所述第二错误率相对于所述多个字线的代表性错误率的偏离。
18.根据权利要求15所述的非暂时性计算机可读存储介质，其中所述指令使所述处理装置执行进一步包括以下各者的操作：
19.根据权利要求15所述的非暂时性计算机可读存储介质，其中所述指令使所述处理装置执行进一步包括以下各者的操作：
20.根据权利要求15所述的非暂时性计算机可读存储介质，其中所述存储器组件的所述第一部分包括一或多个四电平单元QLC，且所述存储器组件的所述第二部分包括一或多个单电平单元SLC。
...【技术特征摘要】
1.一种方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中满足所述第一阈值条件的所述第一字线的所述第一错误率和所述第二字线的所述第二错误率指示与对所述第三字线执行的读取操作相关联的读取干扰应力。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一阈值条件是基于所述第一错误率和所述第二错误率相对于所述多个字线的代表性错误率的偏离。
4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器组件的所述第一部分包括一或多个四电平单元qlc，且所述存储器组件的所述第二部分包括一或多个单电平单元slc。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器组件包括与非nand型快闪存储器。
8.一种用于存储器操作的系统，其包括：
9.根据权利要求8所述的系统，其中满足所述第一阈值条件的所述第一字线的所述第一错误率和所述第二字线的所述第二错误率指示与对所述第三字线执行的读取操作相关联的读取干扰应力。
10.根据权利要求8所述的系统，其中所述第一阈值条件是基于所述第一错误率和所述第二错误率相对于所述多个字线的代表性错误率的偏离。
11.根据权利要求8所述的系统，其中所述处理装置执行进一步包括以下各者的操作：
12.根据权利要求8所述的系统，其中所述处...
【专利技术属性】
技术研发人员：K·K·姆奇尔拉，A·马尔谢，V·P·拉亚普鲁，S·K·瑞特南，H·R·桑吉迪，P·菲利，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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