一种ICO靶材及其制备方法与应用技术

本发明专利技术公开了一种ICO靶材及其制备方法与应用。涉及溅射靶材技术领域。上述ICO靶材，按摩尔百分比计，包括以下组分：Ce：0.5％～2.5％；Al：0.05％～0.2％；Si：0.05％～0.25％；In：97～99.5％。本发明专利技术在原有Ce掺杂的ICO靶材基础上引入Al、Si元素，通过调控ICO靶材中各元素的用量，从而实现了ICO靶材的高密度性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及溅射靶材，尤其是涉及一种ico靶材及其制备方法与应用。

技术介绍

1、氧化铟铈(ico)透明导电氧化物(tco)薄膜有着优异导电性和透光性的双重优势，同时又具有较高的电子迁移率，被视为未来异质结和钙钛矿太阳能电池以及柔性透明电子器件等领域的重要薄膜材料。

2、以ico为基体的tco薄膜作为未来光伏电池的重要材料，是未来主导市场发展的重要待突破领域。因为，一方面，相对于sn4+离子，ce4+离子有效半径(0.101nm)与in3+离子更接近(0.094nm)，且二者配位数均为6，在同等浓度掺杂下ce4+离子掺杂导致微应变的更少。另一方面，ce掺杂后还可降低薄膜晶内氧空位的密度及其对载流子输运的晶界散射，较低浓度的载流子也可减少近红外自由载流子的吸收。因此以ico为基体开发出一种高迁移、高透过的tco薄膜不仅能够满足未来市场需求，也对tco薄膜的研发具有重要的指导意义。

3、然而现有ico靶材在常压烧结条件下无法达到高致密度。一方面由于ce4+离子有效半径大于in3+离子导致ce在in2o3中固溶度较低，烧结时ce4+离子本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种ICO靶材，其特征在于：按摩尔百分比计，包括以下组分：

2.根据权利要求1所述的一种ICO靶材，其特征在于：所述ICO靶材，按摩尔百分比计，包括以下组分：

3.一种制备如权利要求1至2任一项所述的一种ICO靶材的方法，其特征在于：包括以下步骤：

4.根据权利要求3所述的方法，特征在于：步骤S2中，真空除泡过程中，密闭容器中压力-0.1MPa～-0.2MPa。

5.根据权利要求3所述的方法，特征在于：步骤S3，还包括以下步骤：采用0.2MPa～0.7MPa气压使处理浆料流入模具。

6.根据权利要求3所述的方法，特征在于：步...

【技术特征摘要】

1.一种ico靶材，其特征在于：按摩尔百分比计，包括以下组分：

2.根据权利要求1所述的一种ico靶材，其特征在于：所述ico靶材，按摩尔百分比计，包括以下组分：

3.一种制备如权利要求1至2任一项所述的一种ico靶材的方法，其特征在于：包括以下步骤：

4.根据权利要求3所述的方法，特征在于：步骤s2中，真空除泡过程中，密闭容器中压力-0.1mpa～-0.2mpa。

5.根据权利要求3所述的方法，特征在于：步骤s3，还包括以下步骤：采用0.2mpa～0.7mpa气压使处理浆料流入模具。

6.根据权利要求3所述的方法，特征在于：步骤s3中，所述保压静置的时间为5～10h。...

【专利技术属性】
技术研发人员：高洋，李强，葛春桥，
申请(专利权)人：中山智隆新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：