【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及碳化硅粉料合成设备,尤其涉及一种碳化硅粉料合成器。
技术介绍
1、碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表,具有宽带隙、高临界电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度和化学稳定性好等特点,因此其作为制备高频率、大功率、高温、高频耐腐蚀和抗辐照半导体器件广泛的应用于极端环境中,碳化硅单晶应用前景较好。专利号为:“cn117205838b”,专利名称为:“碳化硅粉料合成装置及碳化硅粉料”的一件专利技术专利,,碳化硅粉料合成装置包括支撑架、内坩埚和外坩埚,内坩埚设置于支撑架且能绕自身轴线转动,内坩埚的轴线沿水平方向延伸,内坩埚上开设有第一排杂孔,外坩埚设置于支撑架且罩住内坩埚,外坩埚与内坩埚相对固定且轴线重合,外坩埚上开设有第二排杂孔。通过设置可转动的内坩埚,可以为碳化硅粉料的合成提供温度梯度变化的热场,提高原料的利用率,降低碳化硅粉料合成的成本。
2、但是,上述碳化硅粉料合成装置在针对某些使用情况中仍存在一定的使用弊端:一方面,上述碳化硅粉料合成装置通过转动内坩埚使内部的碳粉和硅粉相互混合反应,但是生成后的碳化硅晶体很容易
...【技术保护点】
1.碳化硅粉料合成器,包括:高温燃烧炉(1)以及设置在所述高温燃烧炉(1)上部的坩埚箱体(2),所述坩埚箱体(2)内部设置混料机构和排杂机构,其特征在于,所述混料机构包括:同轴设置在坩埚箱体(2)内的搅拌轴(3),所述搅拌轴(3)轴线位置处设置滑槽,所述滑槽内滑动连接调节档杆(4),所述搅拌轴(3)外周侧面阵列布设若干拨料组件,所述拨料组件包括:设置在搅拌轴(3)外周侧面的装配管(5),所述装配管(5)内周侧面固定连接装配杆(6),所述装配杆(6)端部设置刮板(7),所述装配管(5)滑动连接移动套筒(18)一端,所述移动套筒(18)另一端一体设置拨料板(19);所述排
...【技术特征摘要】
1.碳化硅粉料合成器,包括:高温燃烧炉(1)以及设置在所述高温燃烧炉(1)上部的坩埚箱体(2),所述坩埚箱体(2)内部设置混料机构和排杂机构,其特征在于,所述混料机构包括:同轴设置在坩埚箱体(2)内的搅拌轴(3),所述搅拌轴(3)轴线位置处设置滑槽,所述滑槽内滑动连接调节档杆(4),所述搅拌轴(3)外周侧面阵列布设若干拨料组件,所述拨料组件包括:设置在搅拌轴(3)外周侧面的装配管(5),所述装配管(5)内周侧面固定连接装配杆(6),所述装配杆(6)端部设置刮板(7),所述装配管(5)滑动连接移动套筒(18)一端,所述移动套筒(18)另一端一体设置拨料板(19);所述排杂机构包括:阵列布设在所述坩埚箱体(2)上部的若干排气孔,所述排气孔位置处设置单向排气阀(8)。
2.根据权利要求1所述的碳化硅粉料合成器,其特征在于:所述移动套筒(18)内周侧面阵列布设若干滑块(12),所述装配杆(6)端部外周侧面阵列布设若干螺旋导轨槽(13),每个所述滑动对应连接所述螺旋导轨槽(13)。
3.根据权利要求1所述的碳化硅粉料合成器,其特征在于:所述移动套筒(18)通过钢丝绳(14)连接调节档杆(4),所述调节档杆(4)外周侧面设置配合槽(15),所述钢丝绳(14)能够进入所述配合槽(15)内。
4.根据权利要求1所述的碳化硅粉料合成器,其特征在于:所述装配杆(6)一端设置连接块(16),所述移动套筒(18)一端外周侧面设置若干螺旋限位孔(17),所述螺旋限位孔(17)与所述连接块(...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄义,左雷杰,庞宇,梁赫,
申请(专利权)人:重庆鬃晶科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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