一种超薄单层电路封装工艺制造技术

现有的芯片封装工艺通常采用在载板上固晶、键合、塑封的工艺方案，产品主要构成有载板、芯片、塑封体，载板厚度一般大于0.1mm，最终封装成型的结构厚度较大，本发明专利技术公开了一种超薄单层电路封装工艺，采用了无载板的特殊工艺设计，在临时用的载板上进行预封装，完成后再通过金属剥离工艺将载板剔除，继续加工形成完整的无载板的芯片封装结构，降低了封装结构的厚度，满足市面上对芯片封装结构更轻、更薄的需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电路封装，具体为一种超薄单层电路封装工艺。

技术介绍

1、现有的芯片封装工艺通常采用在载板上固晶、键合、塑封的工艺方案，产品主要构成有载板、芯片、塑封体，载板厚度一般大于0.1mm，载板主要用于在制造中承托芯片、焊盘等结构，在最终产品应用时没有使用价值，但是由于工艺限制不得不将其作为封装结构的一部分，包含了载板的封装结构成型的厚度较大，无法满足现代化设备对于轻薄化、小型化、高集成度的要求。

技术实现思路

1、因此，为了解决上述问题，本专利技术的目的在于提供一种超薄单层电路封装工艺，

2、包括以下步骤：

3、s1、准备载板；

4、s2、在载板上覆膜；

5、s3、通过光刻工艺处理载板；

6、s4、通过电镀工艺在载板上制作电路和焊盘；

7、s5、将芯片固定在焊盘上；

8、s6、制作塑封层包覆芯片；

9、s7、通过金属剥离工艺将载板剥离；

10、s8、在焊盘表面制作阻焊层。p>

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【技术保护点】

1.一种超薄单层电路封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的超薄单层电路封装工艺，其特征在于，步骤S8中，使用印刷油墨工艺制造阻焊层。

3.根据权利要求1所述的超薄单层电路封装工艺，其特征在于，还包括步骤：S9、对焊盘进行保护处理。

4.根据权利要求3所述的超薄单层电路封装工艺，其特征在于，步骤S9中，通过制造抗氧化金属层对焊盘进行保护处理。

5.根据权利要求4所述的超薄单层电路封装工艺，其特征在于，抗氧化金属层是镍钯金层、锡层、镍金层、金层其中一个金属层。

6.根据权利要求1所述的超薄单层电路封装工艺，其...

【技术特征摘要】

1.一种超薄单层电路封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的超薄单层电路封装工艺，其特征在于，步骤s8中，使用印刷油墨工艺制造阻焊层。

3.根据权利要求1所述的超薄单层电路封装工艺，其特征在于，还包括步骤：s9、对焊盘进行保护处理。

4.根据权利要求3所述的超薄单层电路封装工艺，其特征在于，步骤s9中，通过...

【专利技术属性】
技术研发人员：张琴，
申请(专利权)人：中山思睿科技有限公司，
类型：发明
国别省市：