【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子化学品领域,具体涉及一种去除电子级异丙醇中硼离子的方法。
技术介绍
1、电子化学品作为集成电路、新型显示的重要基础材料,也迎来了发展的黄金期。电子工业对电子级化学品的一般要求是超净和高纯,电子化学品按产品类别划分,可以划分为十几大类产品。它们通常包括:微细加工的光刻胶、湿化学品、电子气体、电子封装材料、抛磨光材料、电池材料、电器涂料、电子浆料等,所涉及到的电子化学品的品种超过16000种。
2、电子级异丙醇(ipa)一般是指超纯异丙醇,属于超净高纯试剂,是包括半导体产业在内的电子工业不可缺少的一种湿电子化学品。相比工业级异丙醇,它具有纯度高、质量要求高、对环境洁净度要求苛刻和产品附加值高等特点。电子级异丙醇主要用于电子元器件清洗去油,半导体晶圆的精密、超精密清洗和脱水,但由于异丙醇原料与空气、水的接触,会导致硼离子的引入,硼离子含量过高会降低芯片的良品率,因此,超纯异丙醇中的硼离子含量要达到ppt级别才能符合电子级异丙醇的要求。
技术实现思路
1、针对现有技术
...【技术保护点】
1.一种去除电子级异丙醇中硼离子方法,其特征在于,包括如下步骤:
2.如权利要求1所述的去除电子级异丙醇中硼离子的方法,其特征在于,步骤(1)所述多羟基化合物为C3-C8多羟基化合物且羟基个数不小于3。
3.如权利要求2所述的去除电子级异丙醇中硼离子的方法,其特征在于,所述C3-C8多羟基化合物为山梨醇、木糖醇、葡萄糖、丙三醇、季戊四醇、三羟甲基丙烷中的任意一种。
4.如权利要求3所述的去除电子级异丙醇中硼离子的方法,其特征在于,所述C3-C8多羟基化合物为木糖醇或山梨醇;步骤(1)中反应温度为90~99℃,反应时间为2~6h。
...【技术特征摘要】
1.一种去除电子级异丙醇中硼离子方法,其特征在于,包括如下步骤:
2.如权利要求1所述的去除电子级异丙醇中硼离子的方法,其特征在于,步骤(1)所述多羟基化合物为c3-c8多羟基化合物且羟基个数不小于3。
3.如权利要求2所述的去除电子级异丙醇中硼离子的方法,其特征在于,所述c3-c8多羟基化合物为山梨醇、木糖醇、葡萄糖、丙三醇、季戊四醇、三羟甲基丙烷中的任意一种。
4.如权利要求3所述的去除电子级异丙醇中硼离子的方法,其特征在于,所述c3-c8多羟基化合物为木糖醇或山梨醇;步骤(1)中反应温度为90~99℃,反应时间为2~6h。
5.如权利要求3所述的去除电子级异丙醇中硼离子的方法,其特征在于,所述c3-c8多羟基化合物为丙三醇,步骤(1)中反应温度为25~28℃,反应时间为2~3h。
6.如权利要求3所述的去除电子级异丙醇中硼...
【专利技术属性】
技术研发人员:宋彦磊,王静云,卢文娟,张威克,徐宜彬,张成秋,王五龙,
申请(专利权)人:滨州裕能电子材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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