【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子级多晶硅清洗，更具体地说，它涉及一种电子级多晶硅清洗过程中的补液量测试方法。
技术介绍
1、电子级多晶硅化学清洗工序是后处理核心工序，从筛分工序转运过来的不同尺寸硅块经过上料台传送至硅块清洗机，硅块在酸洗篮中经过多级清洗槽清洗后送至干燥腔及包装间。其中目前硅料清洗的主流工艺是采用硝酸和氢氟酸的混合溶液进行刻蚀，将硅块置入酸洗篮中，然后放入刻蚀槽内进行表面刻蚀，接着经过校正槽减缓刻蚀反应，并且校正去除轻微的酸斑，进而完成刻蚀，最后用水对硅料进行清洗，该生产为批次性生产，每批次硅料为固定质量，分成多批次轮流进入上述清洗系统中进行清洗。
2、其中刻蚀槽和校正槽中的混合酸液在生产一段时候后，因为酸液与硅料产生反应，以及硅料在转运的过程中带出的酸液，所以导致刻蚀槽和校正槽中的混合酸液发生消耗，目前并没有相关文献报道公开电子级多晶硅在化学清洗过程中的补液方法，混合酸液的消耗对后半段批次的硅料清洗造成了困扰，目前只是一次性连续清洗一定量的批次之后将酸全部排掉，重新补酸，此种方法不利于精确控制酸洗的硅料批次及酸耗，进而无法保证产品质量的稳定性；并且现有的报道也未公开将硅料从刻蚀槽转运至校正槽的时间，由于刻蚀槽中的混合酸液浓度较高，将硅料提出刻蚀槽后，长时间暴露在自然环境下，残留在硅料表面混合酸液继续与硅反应进行形成酸斑，后续校正槽中无法进行修复校正，导致硅料报废无法使用，增加了生产成本。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的不足，本专利技术的目的在于提供一种有效避免酸
2、为实现上述目的，本专利技术提供了如下技术方案：
3、一种电子级多晶硅清洗过程中的补液量测试方法，其包括：刻蚀槽和校正槽的补液量分别为相应的反应消耗量l与硅料转运带液量m之和。
4、进一步的，其中所述反应消耗量的计算方法为：l=8.78×k，其中k为反应消耗硅料质量。
5、进一步的，所述刻蚀槽中反应消耗硅料质量k的测试方法包括：取k1质量的硅料置于酸洗篮中，然后将所述酸洗篮置于所述刻蚀槽中的混合酸液中浸置180s-360s，之后采用高纯水冲洗、烘干称量刻蚀后的硅料质量k2，所述刻蚀槽中反应消耗硅料质量k=k1-k2。
6、进一步的，所述校正槽中反应消耗硅料质量k的测试方法包括：取k1质量的硅料置于酸洗篮中，然后将所述酸洗篮置于所述校正槽中的混合酸液中浸置500s-600s，之后采用高纯水冲洗、烘干称量刻蚀后的硅料质量k2，所述校正槽中反应消耗硅料质量k=k1-k2。
7、进一步的，其中所述硅料转运带液量的计算方法为：m= m2-m1，其中m1为进入所述刻蚀槽或者所述校正槽前的硅料和酸洗篮的质量，m2为从所述刻蚀槽或者所述校正槽出来后移动至下一槽前的质量。
8、进一步的，将装有硅料的所述酸洗篮进行称重质量为m1，接着置于所述刻蚀槽或者所述校正槽的混合酸液中浸置2-3s，然后从中提出所述酸洗篮后晃动2-3s，然后静置3-4s，最后经过2-3s移动至下一槽的混合酸液上方进行称重质量为m2。
9、进一步的，将所述酸洗篮从所述刻蚀槽中提出转运至所述校正槽的混合酸液内所用的时间为8-12s。
10、进一步的，所述刻蚀槽和所述校正槽的长度均为所述酸洗篮长度的4倍。
11、进一步的，所述刻蚀槽中的氢氟酸与浓硝酸的体积比为1:5-1:10；所述校正槽中的氢氟酸与浓硝酸的体积比为1:15-1:30。
12、进一步的，所述氢氟酸的浓度为49wt％；所述浓硝酸的浓度为70wt％。
13、本专利技术的优点是：
14、1、本专利技术公开的工艺中将从刻蚀槽中清洗后转运至校正槽的混合酸液内的时间控制在8-12s，既可有效避免硅料带液量过多影响校正槽中的酸浓度，又可有效避免转运时间过长导致硅料表面产生酸斑，有效的提高了硅料的产品质量。
15、2、本专利技术公开的工艺中给出了补液量的计算方法，可以使刻蚀槽和校正槽连续稳定的补充酸液，保证了后续批次的硅料清洗效果，增加了刻蚀槽和校正槽内酸液的连续清洗批次，提高了清洗效率，保证了产品质量的稳定性。
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1.一种电子级多晶硅清洗过程中的补液量测试方法，其特征在于：其包括：刻蚀槽和校正槽的补液量分别为相应的反应消耗量L与硅料转运带液量M之和。
2.根据权利要求1所述的一种电子级多晶硅清洗过程中的补液量测试方法，其特征在于：其中所述反应消耗量的计算方法为：L=8.78×K，其中K为反应消耗硅料质量。
3.根据权利要求2所述的一种电子级多晶硅清洗过程中的补液量测试方法，其特征在于：所述刻蚀槽中反应消耗硅料质量K的测试方法包括：取K1质量的硅料置于酸洗篮中，然后将所述酸洗篮置于所述刻蚀槽中的混合酸液中浸置180S-360S，之后采用高纯水冲洗、烘干称量刻蚀后的硅料质量K2，所述刻蚀槽中反应消耗硅料质量K=K1-K2。
4.根据权利要求2所述的一种电子级多晶硅清洗过程中的补液量测试方法，其特征在于：所述校正槽中反应消耗硅料质量K的测试方法包括：取K1质量的硅料置于酸洗篮中，然后将所述酸洗篮置于所述校正槽中的混合酸液中浸置500S-600S，之后采用高纯水冲洗、烘干称量刻蚀后的硅料质量K2，所述校正槽中反应消耗硅料质量K=K1-K2。
5.根据
6.根据权利要求5所述的一种电子级多晶硅清洗过程中的补液量测试方法，其特征在于：具体的，将装有硅料的所述酸洗篮进行称重质量为M1，接着置于所述刻蚀槽或者所述校正槽的混合酸液中浸置2-3s，然后从中提出所述酸洗篮后晃动2-3s，然后静置3-4s，最后经过2-3s移动至下一槽的混合酸液上方进行称重质量为M2。
7.根据权利要求6所述的一种电子级多晶硅清洗过程中的补液量测试方法，其特征在于：将所述酸洗篮从所述刻蚀槽中提出转运至所述校正槽的混合酸液内所用的时间为8-12s。
8.根据权利要求6所述的一种电子级多晶硅清洗过程中的补液量测试方法，其特征在于：所述刻蚀槽和所述校正槽的长度均为所述酸洗篮长度的4倍。
9.根据权利要求1-8任一所述的一种电子级多晶硅清洗过程中的补液量测试方法，其特征在于：所述刻蚀槽中的氢氟酸与浓硝酸的体积比为1:5-1:10；所述校正槽中的氢氟酸与浓硝酸的体积比为1:15-1:30。
10.根据权利要求9所述的一种电子级多晶硅清洗过程中的补液量测试方法，其特征在于：所述氢氟酸的浓度为49wt％；所述浓硝酸的浓度为70wt％。
...【技术特征摘要】
1.一种电子级多晶硅清洗过程中的补液量测试方法，其特征在于：其包括：刻蚀槽和校正槽的补液量分别为相应的反应消耗量l与硅料转运带液量m之和。
2.根据权利要求1所述的一种电子级多晶硅清洗过程中的补液量测试方法，其特征在于：其中所述反应消耗量的计算方法为：l=8.78×k，其中k为反应消耗硅料质量。
3.根据权利要求2所述的一种电子级多晶硅清洗过程中的补液量测试方法，其特征在于：所述刻蚀槽中反应消耗硅料质量k的测试方法包括：取k1质量的硅料置于酸洗篮中，然后将所述酸洗篮置于所述刻蚀槽中的混合酸液中浸置180s-360s，之后采用高纯水冲洗、烘干称量刻蚀后的硅料质量k2，所述刻蚀槽中反应消耗硅料质量k=k1-k2。
4.根据权利要求2所述的一种电子级多晶硅清洗过程中的补液量测试方法，其特征在于：所述校正槽中反应消耗硅料质量k的测试方法包括：取k1质量的硅料置于酸洗篮中，然后将所述酸洗篮置于所述校正槽中的混合酸液中浸置500s-600s，之后采用高纯水冲洗、烘干称量刻蚀后的硅料质量k2，所述校正槽中反应消耗硅料质量k=k1-k2。
5.根据权利要求1所述的一种电子级多晶硅清洗过程中的补液量测试方法，其特征在于：其中所述硅料转运带液量的计算方法为：m=m2-m1，其中m1为...
【专利技术属性】
技术研发人员：于跃，张泽玉，黄成，魏富增，马英英，
申请(专利权)人：内蒙古大全半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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