一种电子级多晶硅清洗过程中的补液量测试方法技术

本发明专利技术适用于电子级多晶硅清洗技术领域，一种电子级多晶硅清洗过程中的补液量测试方法，其包括：刻蚀槽和校正槽的补液量分别为相应的反应消耗量L与硅料转运带液量M之和。有益效果：本发明专利技术既可有效避免硅料带液量过多影响校正槽中的酸浓度，又可有效避免转运时间过长导致硅料表面产生酸斑，有效的提高了硅料的产品质量，保证了后续批次的硅料清洗效果，增加了刻蚀槽和校正槽内酸液的连续清洗批次，提高了清洗效率，保证了产品质量的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子级多晶硅清洗，更具体地说，它涉及一种电子级多晶硅清洗过程中的补液量测试方法。

技术介绍

1、电子级多晶硅化学清洗工序是后处理核心工序，从筛分工序转运过来的不同尺寸硅块经过上料台传送至硅块清洗机，硅块在酸洗篮中经过多级清洗槽清洗后送至干燥腔及包装间。其中目前硅料清洗的主流工艺是采用硝酸和氢氟酸的混合溶液进行刻蚀，将硅块置入酸洗篮中，然后放入刻蚀槽内进行表面刻蚀，接着经过校正槽减缓刻蚀反应，并且校正去除轻微的酸斑，进而完成刻蚀，最后用水对硅料进行清洗，该生产为批次性生产，每批次硅料为固定质量，分成多批次轮流进入上述清洗系统中进行清洗。

2、其中刻蚀槽和校正槽中的混合酸液在生产一段时候后，因为酸液与硅料产生反应，以及硅料在转运的过程中带出的酸液，所以导致刻蚀槽和校正槽中的混合酸液发生消耗，目前并没有相关文献报道公开电子级多晶硅在化学清洗过程中的补液方法，混合酸液的消耗对后半段批次的硅料清洗造成了困扰，目前只是一次性连续清洗一定量的批次之后将酸全部排掉，重新补酸，此种方法不利于精确控制酸洗的硅料批次及酸耗，进而无法保证产品质量的稳定性本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电子级多晶硅清洗过程中的补液量测试方法，其特征在于：其包括：刻蚀槽和校正槽的补液量分别为相应的反应消耗量L与硅料转运带液量M之和。

2.根据权利要求1所述的一种电子级多晶硅清洗过程中的补液量测试方法，其特征在于：其中所述反应消耗量的计算方法为：L=8.78×K，其中K为反应消耗硅料质量。

3.根据权利要求2所述的一种电子级多晶硅清洗过程中的补液量测试方法，其特征在于：所述刻蚀槽中反应消耗硅料质量K的测试方法包括：取K1质量的硅料置于酸洗篮中，然后将所述酸洗篮置于所述刻蚀槽中的混合酸液中浸置180S-360S，之后采用高纯水冲洗、烘干称量刻蚀后的硅料质量K2...

【技术特征摘要】

1.一种电子级多晶硅清洗过程中的补液量测试方法，其特征在于：其包括：刻蚀槽和校正槽的补液量分别为相应的反应消耗量l与硅料转运带液量m之和。

2.根据权利要求1所述的一种电子级多晶硅清洗过程中的补液量测试方法，其特征在于：其中所述反应消耗量的计算方法为：l=8.78×k，其中k为反应消耗硅料质量。

3.根据权利要求2所述的一种电子级多晶硅清洗过程中的补液量测试方法，其特征在于：所述刻蚀槽中反应消耗硅料质量k的测试方法包括：取k1质量的硅料置于酸洗篮中，然后将所述酸洗篮置于所述刻蚀槽中的混合酸液中浸置180s-360s，之后采用高纯水冲洗、烘干称量刻蚀后的硅料质量k2，所述刻蚀槽中反应消耗硅料质量k=k1-k2。

4.根据权利要求2所述的一种电子级多晶硅清洗过程中的补液量测试方法，其特征在于：所述校正槽中反应消耗硅料质量k的测试方法包括：取k1质量的硅料置于酸洗篮中，然后将所述酸洗篮置于所述校正槽中的混合酸液中浸置500s-600s，之后采用高纯水冲洗、烘干称量刻蚀后的硅料质量k2，所述校正槽中反应消耗硅料质量k=k1-k2。

5.根据权利要求1所述的一种电子级多晶硅清洗过程中的补液量测试方法，其特征在于：其中所述硅料转运带液量的计算方法为：m=m2-m1，其中m1为...

【专利技术属性】
技术研发人员：于跃，张泽玉，黄成，魏富增，马英英，
申请(专利权)人：内蒙古大全半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：