【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及金属表面处理剂，特别是涉及铜表面微蚀刻液及其应用方法。
技术介绍
1、在微电子制造、精密金属加工以及半导体封装等领域，铜因其优良的导电性和导热性而被广泛应用。铜表面微蚀刻液能够在不破坏铜基材的前提下，通过化学反应使铜表面达到一定的粗糙度和平整度，从而提高铜表面性能，为后续工艺如电镀、印刷、涂覆等提供良好的基底。传统的铜蚀刻液多使用硫酸、硝酸等强酸，这些酸类虽然能够实现铜表面的蚀刻效果，但由于其强氧化性和腐蚀性，对设备和环境造成了严重的损害，同时也存在一定的安全隐患。此外，强氧化剂在蚀刻过程中可能会与铜反应生成氧化物或氢氧化物，这些非铜单质的产物不仅影响蚀刻后的表面质量，还可能影响后续工艺如电镀、焊接等的性能。
2、因此，提供一种不含强酸的铜表面微蚀刻液，以使铜在蚀刻过程中不产生氧化物或氢氧化物，对于金属表面处理剂
具有重要意义。
技术实现思路
1、基于上述内容，本专利技术提供一种铜表面微蚀刻液及其应用方法。本专利技术铜表面微蚀刻液不含强氧化剂，蚀刻后表面为单质铜。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了如下方案：
3、本专利技术技术方案之一，一种铜表面微蚀刻液，原料包括聚乙烯亚胺、羧化纳米金刚石和溶剂。
4、本专利技术技术方案之二，上述的铜表面微蚀刻液在铜表面微蚀刻中的应用。
5、本专利技术技术方案之三，一种铜表面微蚀刻的方法，将铜表面与上述的铜表面微蚀刻液接触进行蚀刻。
6、本专利技术公开了
7、本专利技术采用羧化纳米金刚石和聚乙烯亚胺络合剂体系对铜表面蚀刻可以达到微米甚至纳米级别的蚀刻效果，形成微纳米表面。且铜在蚀刻过程中不会生成非铜单质的产物，从而确保了蚀刻后表面的纯净性和一致性。同时，由于本专利技术铜表面微蚀刻液中不含有强氧化剂，所以其还具有更好的操作安全性和环保性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种铜表面微蚀刻液，其特征在于，原料包括聚乙烯亚胺、羧化纳米金刚石和溶剂。
2.根据权利要求1所述的铜表面微蚀刻液，其特征在于，所述溶剂为水。
3.根据权利要求1所述的铜表面微蚀刻液，其特征在于，所述铜表面微蚀刻液中羧化纳米金刚石的浓度为50μg/mL。
4.根据权利要求1所述的铜表面微蚀刻液，其特征在于，所述铜表面微蚀刻液中聚乙烯亚胺的浓度为5-20g/L。
5.根据权利要求1所述的铜表面微蚀刻液，其特征在于，所述聚乙烯亚胺为直链和/或支链聚乙烯亚胺，重均分子量为600-10000。
6.如权利要求1-5任一项所述的铜表面微蚀刻液在铜表面微蚀刻中的应用。
7.一种铜表面微蚀刻的方法，其特征在于，将铜表面与权利要求1-5任一项所述的铜表面微蚀刻液接触进行蚀刻。
8.根据权利要求7所述的铜表面微蚀刻的方法，其特征在于，将铜表面与所述铜表面微蚀刻液接触前还包括对铜表面进行抛光的步骤。
9.根据权利要求7所述的铜表面微蚀刻的方法，其特征在于，通过将铜表面浸渍于所述铜表面微蚀刻液中实现铜表
10.根据权利要求7所述的铜表面微蚀刻的方法，其特征在于，所述接触的时间为3-24小时；所述蚀刻过程中对所述铜表面微蚀刻液进行转速为200-600rpm的搅动。
...【技术特征摘要】
1.一种铜表面微蚀刻液，其特征在于，原料包括聚乙烯亚胺、羧化纳米金刚石和溶剂。
2.根据权利要求1所述的铜表面微蚀刻液，其特征在于，所述溶剂为水。
3.根据权利要求1所述的铜表面微蚀刻液，其特征在于，所述铜表面微蚀刻液中羧化纳米金刚石的浓度为50μg/ml。
4.根据权利要求1所述的铜表面微蚀刻液，其特征在于，所述铜表面微蚀刻液中聚乙烯亚胺的浓度为5-20g/l。
5.根据权利要求1所述的铜表面微蚀刻液，其特征在于，所述聚乙烯亚胺为直链和/或支链聚乙烯亚胺，重均分子量为600-10000。
6.如权利要求1-5任一项所述的铜表面微蚀刻...
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